Bosqichlari. (quvvat kuchaytirgichlari) mavzusidagi

2.mikrosxemalarning chiqish bosqichlari 
Analog integral mikrosxemalar, analog signalni qabul qilish, 
o'zgaruvchan jihatlarida nazorat qilish va integral hisoblashga 
yordam beradigan elektronik qurilmalardir. Bu mikrosxemalarning 
chiqish bosqichlari qurilishiga va tashqi xususiyatlariga qarab 
o'zgaradi, ammo ularning umumiy chiqish bosqichlari quyidagicha 
bo'lishi mumkin: 
1. Kuchli bosqich: Bu bosqichda chiqish kuchli vaqtinchalik sinfsiz 
kuchga ega bo'ladi, bu shu jumladan moslashuvchanlarning yuqori 
miqdordagi belgilanishini talab qiladi. Bu bosqichning chiqish tizimi 
odatda qolgan barcha tizimlarga ta'sir ko'rsatadi va yuqori tizim 
ko'rsatkichlarini talab qiladi. 
2. O'rta bosqich: Bu bosqichda chiqish o'rta darajali va 
moslashuvchilarning ko'p miqdordagi belgilashiga talab qiladi. O'rta 
bosqichdagi chiqish tizimi odatda analog-to-digital konverterlar, 
amplifikatorlar va filtrlar kabi qurilmalar bilan birga ishlaydi. 
3. Past bosqich: Bu bosqichda chiqish past darajali va kichik 
miqdordagi belgilashga talab qiladi. Past bosqichdagi chiqish tizimi 

---

odatda analog-to-digital konverterlar, tizim signalini tuzatuvchi va 
kattalashtiruvchi filtrlar bilan birga ishlaydi. 
Barcha bosqichlarda, analog integral mikrosxemalar tizimning 
xususiyatlariga mos keladi va moslashuvchilarning talablari va 
xohishlariga javob berish uchun mos belgilash va amplifikatsiya 
amallarini bajaradi. 
Analog integral mikrosxemalarning chiqish bosqichlari juda murakkab 
va tezroq bo'lishi mumkin. Shuningdek, tizimda yuzaga keladigan 
muammolarni hal qilish uchun o'zaro aloqalar va mustaqil ishlarni 
amalga oshirish zarur bo'ladi.
Chiqish bosqichlarining vazifasi – signalning berilgan (etarlicha 
katta) quvvatini buzilishlarsiz past omli yuklamaga uzatishni 
taminlash. Odatda ko’p bosqichli kuchaytirgichlarda ular chiqish 
bosqichlari ҳisoblanadilar. Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish 
koeffitsienti chiqish bosqichlari uchun ikkinchi darajali parametr 
ҳisoblanadi. SHu sababli asosiy parametrlar bo’lib quyidagilar 
ҳisoblanadi: foydali ish koeffitsienti va nochiziqli buzilishlar 
koeffitsienti KG. 
Foydali ish koeffitsienti chiqish signali quvvatinimanbadan 
tortib olinayotgan quvvatga nisbatiga teng: 

---

 
bu yerda Ichiq.m, Uchiq.m – chiqish kattaliklar amplitudasi, EM – 
kuchlanishmanbai, IO’RT – o’rtacha tok. 
Nochiziqli buzilishlar koeffitsienti chiqish signali shaklining 
kirish signali shaklidan farqini ifodalaydi. Bu farq bosqichning uzatish 
xarakteristikasining nochiziqligi sababli yuzaga keladi. Kuchaytirgich 
bosqichi uzatish xarakteristikalari chiqish kattaligini (ICHIQ yoki 
UCHIQ) kirish kattaligiga (IKIR yoki UKIR) boғliqligini ifodalaydi va 
KG kattaliklari ko’p ҳollarda tranzistorning sokinlik rejimi– 
kuchaytirish 
sinfi 
bilan 
aniqlanadi. 
SHu 
sababli 
quvvat 
kuchaytirigichlarida qo’llaniladigan kuchaytirgich sinflarini ko’rib 
chiqamiz. 
Uzatish xarakteristikasidagi ishchi nuqta (sokinlik nuqtasi) 
ҳolatiga ko’ra A, B, AB va boshqa kuchaytirish sinflarimavjud. 
A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi 
kvazichiziq soҳa o’rtasida joylashadi. 
 

---

 
 
Kirish 
signalining 
ikkala 
yarim 
davri 
uzatish 
xarakteristikasining kvazichiziq soҳasida joylashganligi sababli 
nochiziqli buzilishlar eng kichik (KG<1%) bo’ladi. Rasmdan ko’rinib 
turibdiki, agar 
; 
bo’lsa, u ҳolda o’rniga qo’yib, 
quyidagini olamiz 
 , (yani 25 %) 
V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk 
ҳolatigamos keluvchi kvazichiziq soҳa chegarasida joylashadi. 
Tranzistor faqatmusbat yarim davrmobaynida ochiq ҳolatda bo’ladi. V 
rejimda KG 70 % atrofida bo’ladi ifodaga EM va
larni qo’yib, 
quyidagini ҳosil qilamiz 
(yani 78 %). 
V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirishmaqsadidamusbat yarim 
davrni, ikkinchisi –manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita 
kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo’llaniladi. 
AV sinfi A va V sinflari oraliғidagi ҳolatni egallaydi va ikki 
taktli qurilmalarda qo’llaniladi. Bu yerda sokinlik rejimida bir 

---

tranzistor berk bo’lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo’ladi, lekin 
bu ҳolat asosiy ishchi yarim davrni kichik inertsiyaga ega bo’lgan VAX 
soҳasiga olib chiqishga imkon yaratadi. koeffitsient A sinfiga 
nisbatan yuqori, KG<3 % bo’ladi.