Cmos fundamentals

Fig: N type extrinsic semiconductor 
3. Due to less band gap the electrons accumulated in the donor energy band moves from the donor 
energy band to conduction at room temperature. So electrons are the majority charge carriers in n 
type. 
4. The concentration of holes is less in n type in comparison to the intrinsic materials. Due to random 
movement of electrons we find electron – hole recombination which generates thermal agitation 
leading to electron-hole pair generation. 
Fig: Si bonding 
5. N type semiconductor is electrically neutral because with increase in pentavalent atoms electrons 
becoming donor ions and upon donating an electron it has a hole i.e. positive charge due to this the 
increase in electrons increases hole concentration is the same amount thus balancing the charges. 
b) P -Type: 
1. Intrinsic material + trivalent group (Boron, Aluminium, Gallium, Indium)= p type 
2. With the addition of impurity there is acceptor energy band formation just above the valence band. 
Fig: P type extrinsic semiconductor 
3. Due to less band gap the electrons accumulated in the acceptor energy band moves from acceptor 
energy band to valence band at room temperature. So holes are the majority charge carriers in p type. 

---

4. The concentration of electrons is less in p type in comparison to the intrinsic materials. Due to random 
movement of electrons we find electron – hole recombination which generates thermal agitation 
leading to electron-hole pair generation. 
5. P type semiconductor is electrically neutral because with increase in trivalent atoms accepts electrons 
becoming as acceptor ions and upon accepting an electron it has an electron i.e. negative charge due 
to this the increase in electrons increases hole concentration is the same amount thus balancing the 
charges.