Cmos fundamentals

2. 
V
S
 connected to 0v 
V
SB
= V
S
– V
B
= 1-(0) 
= 1v 
When V
SB
is connected with forward bias there are chances that the electrons flow might be 
distorted and current direction will change leading to improper function of the device. 
3. 
V
S
 connected to 1v 
V
SB
= V
S
– V
B
= 1-(1) 
= 0v 
When V
SB
is connected with reverse bias then due to the space charge region there exists a leakage 
current and the electrons flow can be controlled thereby having a proper functioning device. 
So it is recommended to connect source – substrate in reverse bias. 
✔ Ideal V
TO
components: 
a. 
Voltage requirement for depletion charge: 
The V
T
is affected by the depletion charge and can be computed by Q
d
/C
i
As the channel forms there exists a charge in the depletion region and due to parallel plate and 
dielectric medium the channel acts as a parallel plate capacitor, this charge has some voltage 
called depletion charge voltage. 
b. 
Voltage requirement for inversion charge: 
The inversion charge is denoted by 2∅𝐹, it is the potential to form inversion at the channel of a 
MOSFET. 
∴ Ideal V
to 
component = -Q
d
/C
i
+ 2∅𝐹 
✔ Real V
TO
components: 
a. 
Voltage requirement for depletion charge: 
The V
T
is affected by the depletion charge and can be computed by Q
d
/C
i
As the channel forms there exists a charge in the depletion region and due to parallel plate and 
dielectric medium the channel acts as a parallel plate capacitor, this charge has some voltage called 
depletion charge voltage.