Cmos fundamentals

 
Fig: Transfer characteristics of PMOSFET 
 
3) 
Depletion N MOSFET: 
Fig: NMOSFET - depeletion 
a) 
V
GS
 = 0 volts V
DS 
> 0 
Though the V
GS
is zero volts but due to external supply at drain and the presence of channel the 
electric field from drain causes electrons from source to travel from source to drain there by causing 
drain current. 
b) 
V
GS 
 > 0 
The channel depth increases due to applied supply at the gate and the channel enhances. 
c) 
V
GS
 < 0
The channel starts decreasing as gate potential is being reduced this leads to zero current. Thus the 
depletion of the channel occurs; this is named as “Depletion N MOSFET”. 
The voltage at which the device starts depleting its channel is called threshold voltage. 
5) 
Depletion P MOSFET: 

---

Fig: PMOSFET –depletion 
 
a) 
V
GS
 = 0 volts V
DS 
< 0 
Though the V
GS
is zero volts but due to external supply at drain and the presence of channel 
the electric field from source causes electrons from drain to travel from drain to source 
thereby causing drain current. 
b) V
GS 
 < 0 
The channel depth increases due to applied supply at the gate and the channel enhances. 
c) V
GS
 > 0
The channel starts decreasing as gate potential is being increased this leads to zero current. 
Thus the depletion of the channel occurs this is named as “Depletion N MOSFET”. 
The voltage at which the device starts depleting its channel is called threshold voltage.