Diodlar diod

– chiqish diod va Cd orasidagi hajmi;
– o’lchamlari va ish harorati oralig’i
Diodni zanjirga ulaganda to’g’ri qutblilikka amal qilish kerak. Katod va anodning joylashishini aniqlashni osonlashtirish uchun korpusga yoki diodning terminallaridan biriga maxsus belgilar qo’llaniladi. Diodlarni markirovkalashning turli xil usullari mavjud, lekin ko’pincha katodga mos keladigan korpusning yon tomoniga halqali chiziq qo’llaniladi.
Agar diod maskirovkalanmagan bo’lsa, u holda yarimo’tkazgichli diodlarning xulosalarini o’lchash moslamasi yordamida aniqlash mumkin –chunki diod tokni faqat bir tomonlama o’tkazadi.
Diodning ishlashi 
Diodning ishlash prinsipini oddiy tajriba yordamida aniq ko’rishimiz mumkin.
Agar batareya diodga kam quvvatli lampa orqali ulangan bo’lsa, uning musbat tomoni anodga, manfiy tomoni esa katodga ulangan bo’lsa natijada hosil bo’lgan elektr zanjirida tok o’tadi va lampa yonadi . Ushbu tokning maksimal qiymati yarimo’tkazgichli diodning qarshiligiga va unga berilgan doimiy kuchlanishga bog’liq. Diodning ushbu holati ochiq deyiladi, undan o’tuvchi tok to’g’ri tok - Ito’g’ri , unga berilgan kuchlanish esa to’g’ri kuchlanish - Uto’g’ri .Agar diod chiqishlari almashtirilsa, u holda lampa yonmaydi, chunki diod yopiq holatda bo’ladi va zanjirdagi tokga kuchli qarshilik ko’rsatadi. Ta’kidlash joizki, diodning yarimo’tkazgichli o’tishi orqali qarama-qarshi yo’nalishda kichik tok oqimi o’tadi, lekin to’g’ri tok bilan solishtirganda shunchalik kichik bo’ladiki, lampa hattoki sezmaydi ham. Bunday tok teskari tok deb ataladi Iteskari , uni hosil qiluvchi kuchlanish esa teskari kuchlanish Uteskari .
p-n o’tishga ega yarimo’tkazgichli diodning tuzilmaviy sxemasi: 1 — kristall; 2 — qutblar (tok o’tkazgichlari); 3 — elektrodlar ;
4— р—n - o’tish tekisligi.
р — n-o’tishga ega yarimo’tkazgichli diodning Volt-Amper xarakteristikasi: U — dioddagi kuchlanish; I — dioddan o’tuvchi tok; U*обр va I*обр — maksimal ruxsat etilgan teskari kuchlanish va mos keladigan teskari tok; Ucт — stabilizatsiya kuchlanishi.
P-n o’tishga ega yarmo’tkazgichli diodning past signalli (past signal darajasi uchun) ekvivalent sxemasi: rp-n — р — n-o’tishning chiziqsiz qarshiligi; rб — yarimo’tkazgichning hajmiga qarshilik (diod bazasi); ryт — сопротивление поверхностных утечек; СБ — р — n-o’tishning baryer sig’imi; Сдиф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; Ск — korpus sig’imi; Lк — o’tkazgich induktivligi; А va Б — qutblar. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.