Кучланиш манбаининг электр майдони контакт майдон томонга йўналган бўлади, шу сабабли р-n ўтишдаги натижавий майдон кучланганлиги камаяди. Майдон кучланганлигининг камайиши потенциал тўсиқ баландлигини кучланиш манбаи қийматига камайишига олиб келади: UK = U0. Бу вақтда р-n ўтиш кенглигини ҳам камайишини кўриш мушкул эмас. Потенциал тўсиқ баландлигининг камайиши шунга олиб келадики, р-n ўтиш орқали ҳаракатланаётган асосий заряд ташувчиларни сони ҳам ортади, яъни диффузия токи ортади. Ҳар бир соҳада ортиқча асосий бўлмаган заряд ташувчилар концентрацияси юзага келади – n-соҳада коваклар, р-соҳада электронлар. Бирор ярим ўтказгич соҳасига асосий бўлмаган заряд ташувчиларни сиқиб киритиш жараёни инжекция деб аталади.Кучланиш ўзгариши билан диффузия токининг ўзгариши экспоненциал қонун асосида рўй беради: бу ерда I0 – дрейф токи бўлиб, уни р-n ўтишнинг тескари токи деб ҳам аташади. Тўғри кучланиш берилганда потенциал тўсиқ баландлигига тескари ток таъсир кўрсатмайди, чунки бу ток фақат р-n ўтиш орқали бирлик вақт ичида тартибсиз иссиқлик ҳаракати туфайли олиб ўтилаётган асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг сони билан белгиланади. Диффузия ва дрейф токлари бир-бирига нисбатан қарама-қарши йўналган бўлади, шу сабабли р-n ўтиш орқали оқиб ўтаётган натижавий (тўғри) ток (2.1) дан келиб чиққан ҳолда I0 токи германийли р-n ўтишларда ўнлаб мкА ёки кремнийли р-n ўтишларда наноамперларни ташкил этади ва температура ортиши билан кучли равишда ток ҳам ортади. Лекин I0 қийматидаги катта фарқ таъқиқланган зона кенглиги билан аниқланади. Бу ҳолатда ташқи кучланиш манбаининг мусбат қутби n-соҳага уланади (2.3 - расм).
Кучланиш манбаининг электр майдони ўтишнинг контакт майдони йўналган томонга йўналган. Шу сабабли потенциал тўсиқ баландлиги ортади ва UK = U0 га тенг бўлади. Тескари кучланиш қийматининг ортиши р-n ўтиш кенглигининг кенгайишига олиб келади Амалий ҳисобларда қуйидаги ифодадан фойдаланиш қулай:
Do'stlaringiz bilan baham: |