Электроника


Download 0,86 Mb.
bet1/7
Sana03.02.2023
Hajmi0,86 Mb.
#1155589
  1   2   3   4   5   6   7
Bog'liq
Итоговые тесты Э иС 1 для подготовки 1 2


  1. Электроника–

Областьнаукиитехники,занимающаясяизучениемиразработкойметодовсозданияэлектронных приборов и устройств, используемых для передачи, обработки и храненияинформации

  1. Созданиеэлектронныхустройстви системнабазеИМС

  2. Электроникаполупроводниковых структур сразмерамиот0,1до100нм

  3. Раздел, охватывающий исследования и разработку нового типа электронных приборов –интегральныхмикросхемипринципов ихприменения




  1. Микроэлектроника

  1. Электроника полупроводниковых структур с размерами от 0,1 до 100 нм

b) Созданиеэлектронных устройствисистемнабазеИМС
c) Раздел, охватывающий исследования и разработку нового типа электронных приборов –интегральныхмикросхемипринципов ихприменения
d) Областьнаукиитехники,занимающаясяизучениемиразработкойметодовсозданияэлектронных приборов и устройств, используемых для передачи, обработки и храненияинформации



  1. Наноэлектроника–

  1. Раздел, охватывающий исследования и разработку нового типа электронных приборов –интегральныхмикросхемипринципов ихприменения

  2. Созданиеэлектронныхустройстви системнабазеИМС

  3. Электроникаполупроводниковых структурсразмерамиот0,1до100нм

  4. Областьнаукиитехники,занимающаясяизучениемиразработкойметодовсозданияэлектронных приборов и устройств, используемых для передачи, обработки и храненияинформации




  1. Какие приборы входят к пассивным элементам?

a)Резистор,индуктивнаякатушка
b)конденсаторРеле,c)полупроводниковыйдиод,
d)резистор
Биполярный транзистор, полупроводниковый диод, фотодиодСтабилитрон,трансформатор, конденсатор



  1. Какие приборы входят к активным элементам?

Резистор, индуктивная катушка, конденсаторРеле,полупроводниковыйдиод,резистор
Биполярный транзистор, полупроводниковый диод, фотодиодСтабилитрон,трансформатор, конденсатор



  1. Когда и кто изобрёл биполярный транзистор?

  1. 1906год,Луи деФорест

  2. 1948 год, Дж. Бардин, В. Браттейн и В. Шокли

  3. 1895год,А.С.Попов

  4. 1906год,Дж.Бардин,В.Браттейн




  1. Покажитеформулувычисления удельнойпроводимости

RS
L

jE



П

1



  1. Покажитеформулуопределенияудельногосопротивления

jE
П

1
RS
l



  1. Чему равно значение удельной проводимости полупроводников106-108См/м

10-8-105См/м
10-8-10-13См/м
10-8-10-10См/м



  1. Какие элементы входят к полупроводникам

  1. Se,N

  2. Al, Au

  3. Si,Mg


  1. Какие зоны проводимости различаются в полупроводниках?

Зонапроводимости, запретная зона
Запретная зона, валентная зонаЗонапроводимости,валентнаязона
Зонапроводимости,запретнаязона,валентнаязона



  1. Какие зоны проводимости различаются в проводниках?

Зона проводимости, запретная зона, валентная зонаЗонапроводимости, валентная зона
Зона проводимости, запретная зонаЗапретнаязона,валентнаязона



  1. Самаяверхняяразрешённаязонаполупроводникаилидиэлектриканазывается……….

запретной зонойвалентной зонойзоной проводимостиуровнемФерми



  1. Образованиеэлектронно-дырочныхпарназывается…………

Рекомбинацией носителей зарядовИнжекцией
Генерацией носителей зарядовЭкстракцией

  1. Исчезновениеэлектронно-дырочныхпарназывается……….

Генерацией носителей зарядовИнжекцией
Экстракцией
Рекомбинациейносителейзарядов



  1. Примеснымиполупроводникаминазываются……..

Полупроводники,вкоторыхэлектропроводимостьвосновномобусловленаносителямизаряда,образующимися при ионизацииатомов примеси
Полупроводники в кристалле которых несодержатся примеси и нет структурных дефектовкристаллическойрешётки
Самая верхняя разрешённая зона полупроводника или диэлектрикаОбразованиеэлектронно-дырочныхпар



  1. Какие носители заряда образуют ток в собственном полупроводнике?

дырки
электроны и дыркиотрицательные ионыположительныеионы



  1. Какие носители заряда образуют ток в акцепторных примесях?

дырки
отрицательные ионыположительные ионыэлектроны



  1. Какие носители заряда образуют ток в донорных примесях?

дырки
отрицательные ионыэлектроныположительныеионы



  1. Подвижность носителей зарядов это –

Образование электронно-дырочных парДвижениеносителей зарядов
Созданиеэлектронныхустройстви системнабазеИМС
Средняя направленнаяскоростьвполупроводникепри напряженности электрического
поляE=1В/см.



  1. Какие носители заряда образуют ток в n-полупроводнике?

электроны
дыркиотрицательные ионыположительныеионы



  1. Какие носители заряда образуют ток в р-полупроводнике?

отрицательныеионы
положительные ионыэлектроны
дырки

  1. УровеньФермивдонорныхполупроводникахсмещается....

проходитпосерединезапрещеннойзоны
от середины запрещенной зоны в сторону валентной зоныотсередины всторонудназоны проводимости
квалентнойзоне



  1. УровеньФермивакцепторныхполупроводникахсмещается....

от середины запрещенной зоны в сторону валентной зоныотсередины всторонудназоны проводимости
проходит посередине запрещенной зоныквалентнойзоне



  1. УровеньФермивсобственныхполупроводникахсмещается....

от середины запрещенной зоны в сторону валентной зоныотсередины всторонудназоны проводимости
квалентнойзоне
проходитпосерединезапрещеннойзоны



  1. Какие носители заряда образуют ток в металлах?

дырки
отрицательные ионыэлектроныположительныеионы



  1. Какие носители заряда образуют ток в электролитах?

электроны
положительные и отрицательные ионыдырки
отрицательныеионы



  1. В результате колебательного движения кристаллов при гетерогенности их уплотнение илираспадназывается…..

фотонфононинжекцияэкстракция



  1. Направление движения свободных носителей, вызванное их неравномернымраспределениемвобъемеполупроводника,называют....

Диффузным движениемВременемжизни
Подвижность носителей зарядаДрейфовойскоростью



  1. Средняясвободнаядлинадвиженияэто...

Направление движения несбалансированных несущих носителей в объемеполупроводника
Резкое увеличение тока в результате туннельного переходавалентных электроновиз р-области вn-область
Средняя длина расстояния между двумя электронными столкновениямиПреобразованиепеременногонапряженияисточниковпитаниявпостоянное

  1. Временемжизниносителязаряданазываетсявремя ...............

От рекомбинации до генерацииОтинжекциидоэкстракции
Отэктракции доинжекции
Отгенерациидорекомбинации



  1. Полупроводник – это кристаллическое твердое тело,электропроводность которого…

равнанулю при абсолютномнулеи растетс ростомтемпературы
неравнанулюприабсолютномнулеипадаетсростомтемпературы
имеетмаксимальновозможныезначениеприабсолютномнулеипадаетсростомтемпературы
равнанулюприабсолютномнулеиостаетсянеизменнойсростомтемпературы



  1. Проводник – это кристаллическое твердое тело, электропроводность которого…

имеетмаксимальновозможныезначениеприабсолютномнулеипадаетсростомтемпературы
равна нулю при абсолютном нуле и падает с ростом температурыравнанулюприабсолютномнулеирастетсростомтемпературы
равнанулюприабсолютномнулеиостаетсянеизменнойсростомтемпературы



  1. Диэлектрик – это кристаллическое твердое тело, электропроводность которого…

неравнанулю приабсолютномнулеи падаетсростомтемпературы
равнанулюприабсолютномнулеирастетсростомтемпературы
равна нулю при абсолютном нуле и остается неизменной с ростом температурыимеетмаксимальновозможныезначениеприабсолютномнулеипадаетсростомтемпературы



  1. Электрические переходы, созданные на основе полупроводников с различной ширинойзапрещённойзоны называется..........

гетеропереходамигомопереходамиэлектрическимипереходами
электронно-дырочнымпереходом



  1. Электрические переходы, созданные на основе полупроводников с одинаковой ширинойзапрещённойзоны называется..........

гетеропереходамиэлектрическими переходамигомопереходами
электронно-дырочнымпереходом



  1. Переходный слой между областями твёрдого тела с различными типамиэлектропроводимостиназывается .........

гетеропереходамигомопереходами
электронно-дырочным переходомэлектрическимипереходом



  1. Вкакомслучаер-ппереходвключитсяправильно?


Download 0,86 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6   7




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2025
ma'muriyatiga murojaat qiling