Электроника ва радиотехника кафедраси: сае2 5- лаборатоия иши бўйича ҳисобот
Download 0.69 Mb. Pdf ko'rish
|
CAE2 5-Laboratoriya ishi hisoboti
- Bu sahifa navigatsiya:
- 1. Биполяр транзистордан ясалган икки транзисторли баркарор ток генератори тадқиқ этиш.
- Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Берилган параметрлар
- Вариант №16
- Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2
- Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Вариант №16 . Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар
- Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R 1 қаршиликни ҳисоблаш.
- Олинган натижаларга ишлов бериш.
|
Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 5- ЛАБОРАТОИЯ ИШИ бўйича ҳисобот БТда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш Ишдан мақсад: Биполяр транзистордан ясалган икки транзисторли ва
уч транзисторли (Уилсон) баркарор ток генератори ишлашини тадқиқ этиш, характеристикалари ва параметрларини ўлчаш. NI Multisim датурий муҳитида симуляциялашни ўрганиш.
Икки транзисторли БТГ схемаси
Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Берилган параметрлар: 1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC547A;
2-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC556AP. 5.1 – жадвал.
Талаба
т/р 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 E П, В 10 11 12 13 14 15 16 10 11 12 13 14 15 16 10 11 I у, мА 5 5.5 6 4 5 4 5 2 3 4 5.5 5 3.5 4.5 4 5 Вариант №16 .
Икки транзисторли БТГ учун R 1 қаршиликни ҳисоблаш. Кремнийдан тайёрланган транзисторларда U БЭ =0,6….0,8 В гача бўлади. R 1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин. Бунда, U БЭ =0,7В.
𝑅 1 = 𝑈 манба
−𝑈 БЭ 𝐼 юк = 11−0,7 5∗10 −3 = 2,06 кОм; Ўлчаш натижалари
R н ,кОм 0 0,1
0,2 0,3
0,4 0,5
0,6 0,7
U RН , В 0 1,259 2,337 3,269 4,083 4,801 5,438 6,007
I Н , мА 15 13 12
11 10
9,603 9,063
8,583 δ -200 -160 -140
-120 -100
-92,06 -81,26 -71,66
R н ,кОм 0,8 0,9
1 1,1
1,2 1,3
1,4 1,5
U RН , В 6,519 6,982 7,402
7,786 8,137
8,46 8,758
9,034 I Н , мА 8,148 7,757 7,402 7,079 6,782 6,509
6,255 6,024
δ, % -62,96 -55,14 -48,04 -41,58 -35,64 -30,18 -25,1 -20,48 Олинган натижаларга ишлов бериш. Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: 𝛿 = 𝐼
−𝐼 н 𝐼 у ∗ 100%. Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 𝛿 1 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% =
5 − 15 5 ∗ 100% = −200%; 𝛿 2 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 13
5 ∗ 100% = −160%; 𝛿 3
𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 12
5 ∗ 100% = −140%; 𝛿 4
𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 11
5 ∗ 100% = −120%; 𝛿 5
𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 10
5 ∗ 100% = −100%; 𝛿 6
𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 9,603 5 ∗ 100% = −92,06%; 𝛿 7 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 9,063 5 ∗ 100% = −81,26%; 𝛿 8 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 8,583 5 ∗ 100% = −71,66%; 𝛿 9 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 8,148 5 ∗ 100% = −62,96%; 𝛿 10 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 7,757 5 ∗ 100% = −55,14%; 𝛿 11 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 7,402 5 ∗ 100% = −48,04%; 𝛿 12 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 7,079 5 ∗ 100% = −41,58%; 𝛿 13 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 6,782 5 ∗ 100% = −35,64%; 𝛿 14 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 6,509 5 ∗ 100% = −30,18%; 𝛿 15 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 6,255 5 ∗ 100% = −25,1%; 𝛿 16 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 6,024 5 ∗ 100% = −20,48%; Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
н =f(R Н ); 2)I
н =f(U RН ); 3)δ=f (R Н ).
0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 0,2 0,4
0,6 0,8
1 1,2
1,4 1,6
Ur n , V Rn, kOm In=f(Rn) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 2 4 6 8 10 In , V Urn, kOm In=f(Urn) Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2
-250
-200 -150
-100 -50
0 0 0,2 0,4 0,6
0,8 1 1,2 1,4 1,6
Ur n , V Rn, kOm δ=f(Rn) Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 2. Биполяр транзистордан ясалган Уч транзисторли (Уилсон) баркарор ток генератори тадқиқ этиш. Уилсон ток кўзгуси схемаси Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Вариант №16 .
Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R 1 қаршиликни ҳисоблаш. Кремнийдан тайёрланган транзисторларда U БЭ =0,6….0,8 В гача бўлади. R 1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин. Бунда, U БЭ =0,7В.
𝑅 1 = 𝑈 к 𝑉𝑇1
𝐼 𝑦 ; Бу ерда, U к VT1 = U
п – U
бэ VT2 – U
бэ VT3 = U
п – 2U
бэ яаъни U
к VT1 =U п – 2U бэ . 𝑅 1 = 𝑈 к 𝑉𝑇1
𝐼 𝑦 = 𝑈 п − 2𝑈 БЭ 𝐼 𝑦 = 11 − 2 ∗ 0,7 5 ∗ 10 −3
Ишни бажариш. Келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 5.3 – жадвални тўлдиринг: 5.3 – жадвал.
R
,кОм 0 0,1
0,2 0,3
0,4 0,5
0,6 0,7
U RН , В 0 0,498 0,995 1,493 1,99 2,487 2,985 3,481 I Н , мА 4,977 4,977 4,976 4,976 4,976 4,975 4,975 4,975 δ, %
0,46 0,46
0,48 0,48
0,48 0,5
0,5 0,5
R н ,кОм 0,8 0,9
1 1,1
1,2 1,3
1,4 1,5
U RН , В 3,979 4,476 4,973 5,469 5,967 6,463 6,96 7,455 I Н , мА 4,974 4,974 4,974 4,973 4,973 4,972 4,972 4,971 δ, %
0,52 0,52
0,52 0,54
0,54 0,56
0,56 0,58
Олинган натижаларга ишлов бериш. Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: 𝛿 = 𝐼
−𝐼 н 𝐼 у ∗ 100%. Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 𝛿 1 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% =
5 − 4,977 5 ∗ 100% = 0,46%; 𝛿 2 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 14,977 5 ∗ 100% = 0,46%; 𝛿 3 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,976 5 ∗ 100% = 0,48%; 𝛿 4 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 14,976 5 ∗ 100% = 0,48%; 𝛿 5 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,976 5 ∗ 100% = 0,48%; 𝛿 6 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,975 5 ∗ 100% = 0,5%; 𝛿 7 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,975 5 ∗ 100% = 0,5%; 𝛿 8 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,975 5 ∗ 100% = 0,5%; 𝛿 9 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,974 5 ∗ 100% = 0,52%; 𝛿 10 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,974 5 ∗ 100% = 0,52%; 𝛿 11 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,974 5 ∗ 100% = 0,52%; 𝛿 12 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,973 5 ∗ 100% = 0,54%; 𝛿 13 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,973 5 ∗ 100% = 0,54%; 𝛿 14 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,972 5 ∗ 100% = 0,56%; 𝛿 15 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,972 5 ∗ 100% = 0,56%; 𝛿 16 = 𝐼 у − 𝐼 н 𝐼 у ∗ 100% = 5 − 4,971 5 ∗ 100% = 0,58%; Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2 Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
н =f(R Н ); 2)I
н =f(U RН ); 3)δ=f (R Н ).
4,97 4,971 4,972
4,973 4,974
4,975 4,976
4,977 4,978
0 0,2
0,4 0,6
0,8 1 1,2 1,4 1,6
In , m A Rn, kOm In=f(Rn) 4,97
4,971 4,972
4,973 4,974
4,975 4,976
4,977 4,978
0 1 2 3 4 5 6 7 8 Ur n , V Rn, kOm In=f(Urn) Электроника ва радиотехника кафедраси: САЕ2
ХУЛОСА ОЛИНГАН НАТИЖАЛАР АСОСИДА ХУЛОСА ЁЗИНГ.
0 0,1 0,2
0,3 0,4
0,5 0,6
0,7 0 0,2 0,4 0,6
0,8 1 1,2 1,4 1,6
δ , % Rn, kOm δ=f(Rn) Download 0.69 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|