Elektronika va sxemalar fanidan yozgan

kT n kT p_r U_K =—In ⁼ In (2.1)
q n_n ч p„
Odatda germaniyli p-n o‘tishlar uchun kontakt potensiallar farqi i/_A~0,35V ni, kremniylilar uchun esa — 0,7V ni tashkil etadi.




p-n o‘tishni hosil qiluvchi N_d va N_a kiritmalar konsentratsiyasi texnologik chegarada zinasimon o‘zgarsa keskin p-n o'tish yuzaga keladi. Uning kengligi !₀ nafaqat kiritmalar konsentratsiyasiga, balki o'tishdagi konsentratsiyaning o‘zgarish qonuniyatiga bog‘liq bo‘lib, quyidagi ifoda bo‘yicha topiladi
(2.2)
va mikrometrning o‘nlarcha ulushidan bir necha mikrometrgacha bo‘lgan qiymatlarni tashkil etadi. Demak, tor p-n o‘tish hosil qilish uchun yarimo'tkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish, keng p-n o‘tish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichik boMishi kerak.
Bu yerda: q — elektron zaryadi, z₀ — elektr doimiysi, s — yarimo‘tkazgichning nisbiy elektr doimiysi.