Elektronika va sxemalari fanidan

---

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT 
TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI 
RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI 
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT 
AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI FARG’ONA 
FILIALI 
KOMPYUTER INJINIRING FAKULTETI KOMPYUTER 
INJINIRING YO’NALISHI 
716-21 GURUH TALABASI 
ALIYEVA DILNOZANING 
Elektronika va sxemalari fanidan 
 
KMDYA markalanishi va xarakteristikalari 
mavzusida tayyorlagan
. 
 
 
Topshirdi 
D.Aliyeva 
Qabul qildi 
O.Rayimdjonova
 
Farg’ona 2023
 

---

Mavzu: KMDYA markalanishi va xarakteristikalari 
 
 
 
Reja: 
1.KMDYA haqida. 
2. .Kanali qurilgan MDYa – transistor 
3.
 
KMDYA xarakteristikalari 
4.Xulosa 
5.Foydalanilgan adabiyotlar 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

KMDYA, qisqa nomi bilan "Kristal Mohiyatli Diaqonal Yunilaynma Analizi" 
(Ingilizcha: X-ray diffraction analysis of single crystal with diagonal structure) 
olgan. Bu sinov usuli, materiallar kimyoviy tahlil qilishda va ularning 
kristalliqligini o'rganishda qo'llanadigan bir sinov usulidir. 
KMDYA sinovi, materialning kristal tuzilishi va uning xarakteristikalarini 
aniqlashda ahamiyatli o'zgaruvchilarni o'rganish imkonini beradi. Masalan, 
materialning atom tuzilishi, atomlar o'rtasidagi urug'lar va ularning ko'rsatkichlari, 
kristal tuzilishi, qog'oz materiallar uchun matritsa tuzilishi va boshqalar. 
KMDYA sinovi odatda kristallar o'rganishda qo'llanadi, chunki ularning 
yorqinliklari va oqimining oraliqlari yuqori darajada. KMDYA sinovi esa, 
kristallarning ko'rsatkichlarini va ularning urug'larini o'rganish uchun ko'p 
miqdorda vaqt, sabr va bevosita emaslik talab qiladi. 
KMDYA sinovida materialning tahlili ko'p bosqichlardan o'tib ketadi. Bundan 
tashqari, ushbu sinov, kimyoviy reaksiyalar davomida va o'zaro aloqalar 
o'rnatilgan materiallar tahlilida keng qo'llaniladi. 
KMDYA sinovi, o'zining afzalliklari va cheklovlari bilan, kimyoviy so'rovnoma 
yechishda ahamiyatli yordamchi hisoblanadi. Sinov, laboratoriyalarda yuqori 
darajada keng ko'p miqdorda qo'llanadi va katta mablag'lar talab qiladi. n – kanali 
induksiyalangan MDYA- tranzistor tuzilmasi 6.7a- rasmda, shartli belgilanishi esa 
6.7b- rasmda ko'rsatilgan. p- turli kremniydan iborat asos sust legirlangan boʻlib, 
akseptorlar konsentratsiyasi taxminan 10-15 sm ni tashkil etadi.
Asos sirtida diffuziya yoki ion legirlash usullari bilan qalinligi 1 mkm ga yaqin n- 
o'tkazuvchanlikka ega boʻlgan cho'ntaksimon istok va stok sohalar hosil qilingan. 
Istok va stok orasidagi uzunligi L = 0,1 ÷ 10 mkmni tashkil etuv- chi sohа kanal 
uzunligini tashkil etadi. Yarimo'tkazgich sirtida qalinligi 0,05-0,1 mkmni tashkil 
etuvchi dielektrik ( SiO2) qatlam hosil qilingan. Dielektrik sirtiga zatvor deb 
ataluvchi metall elektrod o'rnatilgan. Istok va stok sohalari bilan asos orasida ikkita 
n- p o'tishlar hosil boʻladi.

---

MDYA tuzilmaga istok va stokni qoʻshish invers qatlam (n- kanal) hosil qilish 
jarayoniga keskin ta'sir etadi. Oʻtishlarning kambag'allashgan sohalari rasmda 
shtrixlab ko'rsatilgan.
Zatvor metalli bilan yarimoʻtkazgich orasidagi solishtirma sigʻim S qanchalik katta 
boʻlsa, zatvordagi Uz kuchlanish yarimoʻtkazgich- ning sirti yaqinida shunchalik 
ko'p solishtirma zaryad induksiyalaydi. Natijada, zatvor bilan kanalning 
solishtirma sig'imi kanal oʻtkazuv- chanligining modulatsiyalanish darajasini 
belgilaydi, ya'ni zatvorning boshqarish xususiyatini aniqlaydi. Shuning uchun 
kanal bilan zatvor hosil qilgan solishtirma sig'im MDYA- tranzistorning muhim 
paramet- rlaridan birini tashkil etadi. U quyidagi ifoda bilan aniqlanadi: 
𝐶
0
=
𝐸
0
𝐸
𝑑
𝑑
,
(6.12) 
bu yerda, d- dielektrik qalinligi ( 6.6a- rasm), ε dielektrik singdiruvchanlik