Электроника ва

2 - лаборатория иши
Биполяр транзисторларнинг статик характеристикалари ва
параметрларини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: Биполяр транзисторларнинг асосий статик
характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:
График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий эмиттер уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида база токи i б ва коллектор - эмиттер кучланиши u _КЭ танланади, шунда:


(2.1)
f u ЭБ ~ ^{f (i} Б , u КЭ )
jК ~ ^{f (i} Б , u КЭ ^
Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.
БТ кириш хараткеристикалари оиласи 2.1- расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:
uэб ~ ^{f (i}б ^, u_КЭ ~ const бўлганда (2.2)
(абсцисса ўқи бўйлаб и_ЭБ, ордината ўқи бўйлаб эса 1_Б қўйилади).
Характеристикалар оиласидаги ҳар бир хараткеристика коллектор - эмиттер кучланишининг ўзгармас қийматида ўлчанади (2.1- расмда uКЭ1 < uКЭ2 ^ uкэз).

2.1 - расм. 2.2 - расм.

Чиқиш характеристикалари оиласи


(2.3)
iK ~ ^{f (u} кэ ^, i^ ~ const бўлганда
2.2- расмда келтирилган
Пунктир чизиғидан чапроқда жойлашганн соҳа БТ тўйиниш режимига, ўнгда жойлашган соҳа - актив режимга мос келади.
Кичик амплитудали сигналлар билан ишланганда IБт, UБЭт, IKm, U_кЭт





қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта

^UКЭ ^(о)

ва

iБ (0)

атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (2.1-2.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг h- параметрлар тизимидан фойдаланиб.
U^ = h>U + hUn


(2.4)
БЭт 11 Бт 12 КЭт
I = hoiIГ + h-> U U тт-о
Кт 21 Бт 22 КЭт

ёзиш мумкин, бу ерда h11	_ ^А u БЭ А i^	, u = const	бўлганда
h21	_ ^А iK ~ АiK , Б	u = const	бўлганда
^h12	_ ^А u БЭ ^А^u кэ	, i = const	бўлганда
^h22	_ ^А i к ^А^u кэ	i = const ,Б	бўлганда

(2.5)

h- параметрлар (2.5) формулалари ёрдамида характеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h₁₁ ва h₁₂ - кириш характеристикалар оиласидан, h₂₁ ва h22 - чиқиш характеристикалар оиласидан).
Аппроксимацияланган кириш характеристиклари учун
и_БЭ < Uб(_СЛг-^ганд-- i_E = 0





u БЭ

> U_EЎсбўлганд- - i_E =

u БЭ ^U БЎС
r КИР

(2.6)

га эгамиз.
Чиқиш характеристикалари учун эса







iK

^икэ , r к.ТЎЙ
u
@i_E + кЭ^ ,
Б Б —*
r к

Кээ < U_кэТЎЙ, (тўй. - режими)

( актив

режим )

(2.7)

2.6 ва 2.7 формулаларда
иБўС- эмиттер ўтишдаги бўсағавий кучланиш,
r кир - транзистор кириш қаршилигининг ўрта қиймати (r _ж ^% r б ),
гК Тўй — тўйиниш режимидаги транзистор чиқиш қаршилиги (бошланғич





соҳада).
r
^ГК ТЎЙ

^{A и}КЭ
^A iK ’

i^ ^— const ва икэ < Uкэтўй

(2.8)


— * I
* *
r К - актив режимда чиқиш қаршилиги rК нинг ўрта қиймати.
i_Б — const ва и_КЭ > U_КЭТўй бўлганда (2.9)

2. 
   Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
   
   1. 
      Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш:
      

Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг.
2.1 - жадвал
Кириш ва бошқариш характеристикалари

Еп ББ	В
^иБЭ	В
^Б	мкА
iK	мА

2.2 - жадвал
Транзистор чиқиш характеристикалари

^Б, мкА
	^иКЭ	В
	iK	мА
	иКЭ	В
	iK	мА
	иКЭ	В
	iK	мА
ва х.з.

2.4 - расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор
цоколининг схемаси 2.5 - расмда келтирилган. Резистор қаршилиги R1= (5-10 )кОм.

2. 
   uКЭ — 5В ўзгармас кучланиш қийматида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 2.1 - жадвалга киритинг.
   

2.4 - расм.

чикиш

электродлари

2.5 - расм.

транзистор

оёкчалари

3. 
   Чиқиш характеристикалар оиласини ўлчанг:
   

Чиқиш характеристикалар оиласини база токининг i б =50мкА қийматидан бошлаб ҳар 50 мкА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак;
uкэ кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ва тўйиниш режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.

2. 
   Ўлчаш натижаларини ишлаш:
   
   1. 
      Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг. u _кэ =5 В, i _Б =100мкА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг
      

h _ ^А u БЭ h
h11 Э ^_ _А . , 21Э
А i_R Б

2. 
   
   
   
   А i_K
   K
   
   а А i_T
   ^h22Э ~ _л
   ^А u КЭ
   База токи 100 мкА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли - бўлак аппроксимацияни амалга ошириб U_КЭТўй , I_КТў^, r_K._ТЎ1,, r_K ларни ҳисобланг.
   
2. 
   Ҳисобот мазмуни:
   

1. 
   ўлчаш схемалари;
   
2. 
   олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;
   
3. 
   ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.
   

3 - лаборатория иши