Elektrotexnika materiallari

4.3. Yarim o’tkazgich tarkibidagi qo’shimchalar
Yarim o’tkazgich kristallarida qo’shimchalarning juda kam (10) miqdori ham 
uning elektr o’tkazuvchanligiga katta ta’sir ko’rsatadi. Qo’shimcha taqiq zonada 
yangi energetik sath ozod zonaga yaqin joylashgan bo’lsa, bu sathdan elektron 
ozod zonaga osonlikcha o’tib (kichik energiya ta’sirida), kristallda elektron 
o’tkazuvchanlikni sodir etadi. Bunday yarim o’tkazgich n-turli bo’lib, tarkibiga 
kiritilgan qo’shimcha “donor” deyiladi. 
Agar qo’shimchaning energetik sathi zonadan pastroq zonaga o’tishi 
natijasida “teshik” yoki “kovak” qoldiradi. Elektron bir sathdan ikkinchi sathga 
ko’chishida uning o’rnida qolgan teshik ham siljiydi. Teshikning siljish yo’nalishi 
maydon vektori (E) yo’nalishiga yoki musbat zaryad yo’nalishiga mos tushadi. Bu 
135
T.K. Basak. Electrical engineering materials. New Age Intenational, Nil edition. USA, 2009. 161-bet 

---

189 
turdagi yarim o’tkazgichlar teshikli (P-turli) yarim o’tkazgichlar deyilib, ularning 
qo’shimchalari “atseptor”lar deyiladi. 
Elektr o’tkazuvchanlik tajribada osongina aniqlanib, bunda turli yarim 
o’tkazgichning bir tomoni qizdirilsa, u yerda ozod elektronlar soni keskin 
ko’payib, bu qism manfiy zaryadga ega bo’ladi. Agar p-turli o’tkazgichning ham 
bir tomoni qizdirilsa, u yerda teshiklar keskin ko’payib, kristallning bu qismi 
musbat zaryadga ega bo’lib qoladi. 
Yarim o’tkazgichlarda “p-n” o’tishini yuzaga keltirib, bu qismlarga mos 
ravishda musbat va manfiy potensiallar berilsa, “n” qismidan elektronlar, “p” 
qismidan aks yo’nalishda teshiklar siljib, zanjirda tok oqimi hosil bo’ladi. 
Aksincha, potensiallar teskari yo’nalishda berilsa, katta qarshilikka ega qatlam 
vujudga kelib, tok o’tishi keskin cheklanadi. 
Yarim o’tkazgichlarning “n” turdagi asosiy zaryad eltuvchilari elektronlar, 
“p” turlisida esa teshiklar hisoblanadi. “p-n” o’tishda yarim o’tkazgich (germaniy, 
kremniy va hokazo) yuzasidan qo’shimcha (indiy, fosfor)larni eritish orqali hosil 
qilinadi. Bunda monokristall yupqa taxtacha shaklida kesib tekislanadi, saqlaniladi, 
tozalanadi va grafitli kassetaga o’rnatilib, pechda ma’lum vaqt issiqlik ta’sir 
ettiriladi. Bu usul elektronli yarim o’tkazgichda esa donor qo’shimchasini eritishga 
asoslangan.
136
“p-n” o’tishi elektr-kimyoviy, kristall olish (o’stirish mobaynida) va boshqa 
usullarda ham hosil qilinadi. 
Agar yarim o’tkazgich kristallida p-n-p yoki (n-p-n) o’tishlar hosil qilinib, bu 
qismlar (emitter–1, kollektor–2, elektrod-3)ga simlar ulansa, tok kuchaytiruvchi 
asbob-tranzistor vujudga keladi. 
“p-n” o’tishli diodlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K-
kremniy, A-galliy, I-indiy; ikkinchi harf: D-to’g’irlagich, impuls, magnit va 
termodiod, Ts-to’g’rilagich ustuni (bloki), V-varikan, I-tunnelli, A-yuqori 
chastotali, S-stabilitron, G-shovqin generatori, L-nurlatuvchi asbob, N-diodli 
136
Callister,William D., Materials science and engineering: an introduction, 7th ed.p.cm/ - Printed in the United 
States of America/ John Wiley & Sons, Inc.- 2007. 501-bet. 

---

190 
tiristor, U-triodli tiristor; uchinchi harf asbob parametrik, qo’llanilishi, ish prinsipi; 
to’rtinchisi - asbob tayyorlanish turini; beshinchisi-asbob tasniflanishini bildiradi.
Tranzistorlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K-kremniy, G-
galliy va hokazo: ikkinchisi: T-qo’sh qutbli transistor; uchinchisi: sarflanadigan 
energiya va chastotani, to’rtinchisi: asbob tartibi va guruhini bildiradi.
Tiristorda p-n qatlamlari ketma-ket qaytarilib, chekka qismlarida chiquv 
simlariga ega. O’rta qismida qo’shimcha chiquv simlariga ega tiristor trinistor 
deyiladi. Tashqi nur yordamida boshqariladigan tiristor-fototiristor, ichki nurli 
signalda 
boshqariladigani 
optotiristor 
deyiladi. 
Optoelektronli 
yarim 
o’tkazgichlarga nur tarqatuvchi diod (Al navli), infraqizil nurlatuvchi diod (IQ 
diod) misol bo’la oladi.