Emitterlari bog‘langan mantiq

Emitterlari bog‘langan mantiq

Reja:

1. 
   Tok qayta ulagichi
   
2. 
   EBM ME sxemasi
   
3. 
   500 seriyaga mansub EBM element sxemasi
   
4. 
   n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
   
5. 
   n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va
   
6. 
   2YOKI-EMAS MElari
   

Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bо‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bо‘ladi va bazada qо‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar tо‘planayotganda BT tо‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga о‘tishi uzoq kechadigan jarayon bо‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.

EBM shunday sxemotexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning tо‘yinmagan rejimi yuklama va parazit sig‘imlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.
Tok qayta ulagichi

12.1.-rasm. Tok qayta ulagichi sxemasi

U ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan bо‘lib, ularning har biri tranzistor va rezistordan iborat. Umumiy emitter zanjirida BTG I₀ ishlaydi.

Kirishlardan biri (VT2) tayanch deb ataluvchi doimiy kuchlanish manbai U₀ ga ulangan. Tok I₀ qiymati tranzistorning aktiv ish rejimiga mos keladi va EBM negiz elementlarida I₀ = 0,5÷2 mA. BTG mavjudligi tufayli baza potensiallarining ixtiyoriy qiymatlarida emitter о‘tishlarda avtomatik ravishda
shart о‘rnatiladi.
Sxema simmetrik, shuning uchun ikkala BT baza potensiallari teng bо‘lganda (U_KIR = U₀) har bir yelkadan oqib о‘tayotgan tok I₀ / 2 ga teng.

• 
  Tayanch kuchlanish U₀ = 1,2 V.
  
• 
  Agar UKIR qiymati Δ ≤ 0,1 V ga kamaysa, u holda I_E1 tok I₀ ga nisbatan 1 % gacha kamayadi, I_E2 tok esa 99 % gacha ortadi.
  
• 
  Demak, kirish signali U_-KIR ≤ U₀ – Δ (mantiqiy 0) bо‘lganda VT1 tranzistor berk bо‘ladi, VT2 tranzistordan esa tо‘liq I₀ toki oqib о‘tadi.
  
• 
  Agar U_KIR qiymati Δ ≥ 0,1 V ga ortsa, u holda I_E1 tok I₀ ga nisbatan 99 % gacha ortadi, I_E2 tok esa 1 % gacha kamayadi.
  
• 
  Demak, kirish signali U_+KIR ≥ U₀ + Δ (mantiqiy 1) bо‘lganda VT2 tranzistorni berk deb hisoblash mumkin, VT1 tranzistordan esa tо‘liq I₀ tok oqib о‘tadi.
  
• 
  Natijada ideal tok qayta ulagichiga ega bо‘ldik.
  

Sathlar orasidagi farq - qayta ulanish kichikligi uning kamchiligi hisoblanadi, chunki qayta ulanish sohasi kirish signallarini tayanch kuchlanish U₀ dan U_QU=U_+KIR–U_-KIR=2Δ≈ 0,3 V qiymatga о‘zgarishi bilan aniqlanadi. Demak, xalaqitbardoshlik ham kichik bо‘ladi.

Lekin mantiqiy о‘tish vaqtining kichikligi, hamda tо‘yinish rejimining yо‘qligi hisobiga tok qayta ulagichining qayta ulanish vaqti juda kichik bо‘lib, 3 nsdan oshmaydi.
qо‘llaniladi. Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi.
Qayta ulagichlar ketma –ketligi ishga layoqatligini ta’minlash maqsadida kirish va chiqishlar bо‘yicha mantiqiy 0 va mantiqiy 1 sathlar muvofiqlashtirilgan bо‘lishi kerak.
Afsuski, mazkur turdagi qayta ulagichlarda sathlar mosligi mavjud emas, chunki U1 va U2 chiqishlardan olinayotgan chiqish kuchlanishi