Ал-хоразмий номли урганч давлат университети

Rasm.12.6. Stabilitronning volt-amper

xarakteristikasi

Stabilitronlar quvvat manbalarining kuchlanishini barqarorlashtirish, shuningdek, turli davrlarda kuchlanish darajasini aniqlash uchun ishlatiladi. Ikki tomonlama (simmetrik) stabilitronlari ham mavjud. Ularni ketma-ket ulash imkoni mavjud bo’lib, bunday usul orqali umumiy barqarorlashtiruvchi kuchlanish alohida stabilitronlarning kuchlanishlari yig'indisiga teng: U_st= U_st1 + U_st2 + U_st3+ U_st4

Tunnel diodi

Tunnel diodi – bu qo’zғotilgan yarim o’tkazgich asosida yaratilgan yarim o’tkazgichli asbob bo'lib, unda tunnel effekti yuzaga kelgani uchun volt-amper xarakteristikasida to'g'ri kuchlanish rejimida mangiy differentsial qarshilik ega soha paydo bo’ladi.

Birinchi tunnel diodi 1957 yilda Germaniyadan ishlab chiqarilgan; ammo, bundan ko'p o'tmay, tunnel diodini olish uchun mos bo'lgan boshqa yarimo'tkazgichli materiallar Si, InSb, GaAs, InAs, PbTe, GaSb, SiC va boshqalar aniqlandi.

Tunnel diod germaniy yoki juda yuqori konsentratsiyali aralashmalarga ega bo’lgan arsenid galliydan yasaladi. Ular juda kichik solishtirma qarshilik ega. Bunday kichik qarshilikka ega bo'lgan yarimo'tkazgichlar ko’zg’otilgan yarimo’tkazgichlar hisoblanishadi. Ularda p-n sohasi juda tor bo’ladi. Bunday o'tishlarda potentsial to'siq orqali elektronlarning nisbatan erkin tunnellanishi uchun sharoitlari (tunnel effekti) paydo bo'ladi. Tunnel effekti diodning VAXning to'g'ridan sohasida manfiy differentsial qarshilikka ega bo'lgan qismning paydo bo'lishiga olib keladi.

Tunnel diodlarining asosiy parametrlari:

Tok cho’qqisi I_ch – VAXdagi maksimumda nuqtadagi to’g’ri tok;

• 
  Tushishdagi tok I_t – VAXning minimum nuqtasidagi to’g’ri tok;
  
• 
  Tunnel diod roklarining nisbati I_ch / I_t;
  
• 
  Kuchlanish cho’qqisi U_ch – cho’qqi tokiga mos keluvchi kuchlanish;
  
• 
  Tushish kuchlanishi U_t – tushish tokiga mos keluvchi tushihs kuchlanishi;
  

Tunnel diodlari elektromagnit tebranishlarni hosil qilish va kuchaytirish uchun, shuningdek, hamda tez ishaydigan ko’shib ajratuvchi va impulsli sxemalarda ishlatiladi.
Uning sxematik tasvilanishi rasm.12.7da keltirilgan:

Rasm.12.7. Tunnel diod va uning sxemasi
Rasm.12.8.da tunnel diodning volt-amper xarakteristikasi keltirilgan. Muayyan kuchlanish diapazonidagi tunnel diodasi manfiy differentsial qarshilikka ega va juda past inersiyaga ega bo'lganligi sababli ular elektr tebranishlarining yuqori chastotali kuchaytirgichlarida, generatorlarda va kommutatsiya qurilmalarida faol elementlar sifatida ishlatiladi.

Rasm.12.8. Tunnel diodning volt-amper
xarakteristikasi