Bug 'kimyoviy birikmasi [ tahrirlash

Boshqa usullar [ tahrirlash | kodni tahrirlash ]

• 
  Atom Layer Deposition ( . Engl Atom qatlami CVD ( ALCVD ) ) - turli materiallar izchil qatlamlarini tashkil bir qatlamli billur film yaratish.   
  
• 
  Dekompozitsiyasi issiq ( Engl. Yonish Kimyoviy Vapor Deposition ( CCVD ) ) - ochiq muhitida yonish jarayoni.  
  
• 
  Issiq filamentli CVD ( inglizcha . Issiq simli kimyoviy bug ' birikmasi ( HWCVD ) / issiq filamentli CVD ( HFCVD ) ) - katalitik CVD ( inglizcha . Katalitik kimyoviy bug' birikmasi ( Cat - CVD ) ). Gazlar reaktsiyasini tezlashtirish uchun issiq muhitdan foydalanadi.  
  
• 
  Organometalik KVD ( ingliz. Metalorganik kimyoviy bug ' cho'kmasi ( MOCVD ) ) - organik metall kashshoflardan foydalangan holda KVD jarayoni .   
  
• 
  Gibrid fizik-kimyoviy bug 'fazali cho'kma ( Engl. Gibrid Jismoniy - Kimyoviy Vapor Deposition ( HPCVD ) ) - kimyoviy dekompozitsiyasi va foydalanish jarayoni bir yetakchi va qattiq bug'lanish.   
  
• 
  Tez termik kimyoviy bug 'fazasini cho'ktirish ( inglizcha . Tez termal CVD ( RTCVD ) ) - akkor chiroq yoki substratni tez isitish uchun boshqa usullardan foydalangan holda CVD-jarayoni. Gazni isitmasdan substratni isitish gaz fazasidagi kiruvchi reaktsiyalarni kamaytirishga imkon beradi.   
  
• 
  Bug 'fazali Epitaxy ( Eng. The bug' bosqichi Epitaxy ( VPE ) ). 
  

Mikroelektronika uchun materiallar [ tahrirlash | kodni tahrirlash ]
Bug'larni kimyoviy cho'ktirish usuli yuqori uzluksizlikning konformal qoplamalarini olishga imkon berganligi sababli , mikroelektronik ishlab chiqarishda dielektrik va o'tkazgich qatlamlarini olish uchun keng qo'llaniladi .
Polikristalli kremniy [ tahrirlash | kodni tahrirlash ]
Polikristalli kremniy silandan quyidagi reaktsiya bilan olinadi:
SiH ₄ → Si + 2 H ₂ 
Reaksiya odatda LPCVD tizimlarida toza silan qo'shilishi bilan yoki 70-80 % azotdagi silan eritmasi bilan amalga oshiriladi . 600 dan 650 ° S gacha bo'lgan harorat va 25 dan 150 Pa gacha bo'lgan bosim daqiqada 10 dan 20 nm gacha cho'kish tezligiga erishishga imkon beradi . Muqobil eritmada vodorodga asoslangan eritma ishlatiladi, bu harorat 850 yoki hatto 1050 ° S ga ko'tarilganda o'sish tezligini pasaytiradi.