O'zbekiston respublikasi oliy va o'rta maxsus ta'lim vazirligi toshkent axborot texnologiyalari texnikumi elektronika asoslari


p-n o’tish manbaga to’g’ri ulangan Ge va Si VAX (volt-amper xarakteristikasi)


Download 1.84 Mb.
bet3/4
Sana05.01.2022
Hajmi1.84 Mb.
#213353
1   2   3   4
Bog'liq
Лекция 2 узб

p-n o’tish manbaga to’g’ri ulangan Ge va Si VAX (volt-amper xarakteristikasi)


Tavsifning boshlang’ich qismining egri chiziqliligi potensial g’ovning ta’siridandir. To’g’ri ulangan manba kuchlanishini oshirib, potensial g’ovni to’liq kompensatsiyalanganda, tokning kuchlanishga bog’liqligi to’g’ri chiziqqa yakinlashadi. Bu vaqta to’g’ri tokning qiymati p va n sohalari hajm qarshiligi aniqlanadi. p-n o’tishda germaniyda potensial g’ovning balandligi kremniyga nisbatan kam bo’lgani uchun germaniyning tavsifi kremniyning tavsifiga nisbatan chap tomonga surilgan.

Download 1.84 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling