- Резисторлар билан бир қаторда гибрид ИС да пассив элементлар сифатида пленкали конденсаторлар қўлланилади. Бунда пассив элементлар ИМС ларнинг схематехник ва эксплуатацион характеристикаларини белгилайди. Паст частотали ИМС дискрет миниатюр конденсаторлар ва катушкалар қўлланилади, аналогли юқори частотали ИМС ларда пленкалилар (сиғими 100пФ дан кам) қўлланилади.
- Пленкали конденсаторлар юпқа ва қалин пленкали бўлад ва ИМС лар майдонининг кўп қисмини эгаллайди. Шу сабабли яримўтказгичли ИМС ларда конденсаторларнинг ўрнини тескари силжитилган p–n ўтишлар ва металл-диэлектрик-яримўтказгичлар (МДЯ-конденсаторлар).
- бажаради.
- Манба кучланиши;
- Мантиқий 1 ва 0 га мос келувчи кучланиш сатҳлари;
- Халақитбардошлик (энг кичик қиймати келтирилади);
- Истеъмол қуввати (истеъмол токи);
- Юклама имкониятлари (мантиқий 1 ва 0 сатҳлари учун кириш ва чиқиш токлар қийматлари);
- Тезкорлик (сигнални тарқалишини кечиктириш вақти).
Ярим ўтказгичли ИМС - Яримўтказгичли ИМС тузилмасининг асосий элементи бўлиб кристалл хизмат қилади — яримўтказгичнинг қисман (кремнийли) монокристалик подложкаси (пластинаси).
Ярим ўтказгичли ИМС - Қуйидаги яримўтказгичли ИС кенг қўлланилади:
- биполяр;
- МДЯ (МОЯ) – металл-диэлектрик (оксид)-яримўтказгич;
- БиМОЯ – биринчи ва иккинчи турларнинг қўшилмаси (бирлашмаси).
Я/ў ИМСлар яратишнинг технологик жараёни - Я/ўтказгичли ИС яратиш технологиясида я/ў (кремний) пластинасини навбатма-навбат донор ва акцепторлар киритмалари билан легирлаш асосланган, натижажа хар хил ўтказувчанликка эга юпқа қатламлар ва қатлам чегараларида p–n ўтишлар ҳосил бўлади. Айрим қатламлар резисторлар сифатида, p–n ўтишлар-диодли ва транзисторли тузилмаларда қўлланилади.
ИМСлар яратишнинг технологик жараёни - Легирлаш локал тарзда махсус тешикли маскалар ёрдамида амалга оширилади, улар ёрдамида эса киритма атомлари пластинанинг керакли соҳаларига киритилади. Маска ролини одатда SiO2 кремний диоксиди бажаради, кремнийли пластинанинг ёпилувчи сирти. Ушбу пленкада хар хил услубларда керакли шаклдаги деразалар ҳосил бўлади.
- Биполяр ИС нинг асосий элементи бўлиб n–p–n-транзистор (биполярный транзистор) хизмат қилади ва унинг тайёрланишига бутун технологик цикл йўналтирилади.
- Бошқа элементлар, имкон қадар қўшимча технологик операцияларсиз ушбу транзистордан яратилади.
Do'stlaringiz bilan baham: |
