Flash memory разновидность полупроводниковой

Тип памяти	Ресурс
Примеры решений
SLC NOR	100 000 .. 1 000 000	Numonyx M58BW, Spansion S29CD016J
MLC NOR	100 000	Numonyx J3 flash
SLC NAND	100 000	Samsung OneNAND KFW4G16Q2M
MLC NAND	1000 .. 10 000	Samsung K9G8G08U0M
TLC NAND	1000	Samsung SSD 840
3D MLC NAND	6000 .. 40 000	Samsung SSD 850 PRO, Samsung SSD 845DC PRO
3D TLC NAND	1000 .. 3000	Samsung SSD 850 EVO, Samsung SSD 845DC EVO, Crucial MX300

Идут исследования экспериментальной технологии восстановления ячейки флеш-памяти путём локального нагрева изолятора затвора до 800 °С в течение нескольких миллисекунд.^[24]
Срок хранения данных
Изоляция кармана неидеальна, заряд постепенно изменяется. Срок хранения заряда, заявляемый большинством производителей для бытовых изделий, не превышает 10—20 лет^{[источник не указан 3405 дней]}, хотя гарантия на носители даётся не более чем на 5 лет. При этом память MLC имеет меньшие сроки, чем SLC.
Специфические внешние условия, например, повышенные температуры или радиационное облучение (гамма-радиация и частицы высоких энергий), могут катастрофически сократить срок хранения данных.
У современных микросхем NAND при чтении возможно повреждение данных на соседних страницах в пределах блока. Осуществление большого числа (сотни тысяч и более) операций чтения без перезаписи может ускорить возникновение ошибки^[25][26].
По данным Dell, длительность хранения данных на SSD, отключенных от питания, сильно зависит от количества прошедших циклов перезаписи (P/E) и от типа флеш-памяти и в худших случаях может составлять 3—6 месяцев^[26][27].