Fotoenergetikadananostrukturaliyarimo‘tkazgichmateriallar Xalqaroilmiyanjumani 9-10oktyabrToshkent2020yil

Адабиётлар

1. 
   Зикириллаев Н.Ф., Бегимқулова К.Қ., Ноананавий қайта тикланувчиэнергияманбалариданизоҳлилуғат.-Т.:Мериюс,2010.-145б.
   
2. 
   БаҳодирхоновМ.К.,ИлиевХ.М.,ИсаевФ.М.,КаримовР.А.,Электроника фанидан асосий тушунчалар изоҳли луғат. –Т.: Мериюс, 2008.-134б.
   
3. 
   АкрамовҲ.,ЗайнабиддиновК.,ТешабоевА.Яримўтказгичлардафотоелектрикҳодисалар.Оъқувқўлланма.-Т.:Ўзбекистон,1994.–134б..
   
4. 
   ИлиевХ.М.,КовешниковС.В.,УсенконЮ.Алътернативниеисточникиэнергии.Учебное пособие.-Т.:Саёхат,2007.-146б.
   
5. 
   Мамадалимов А.Т., Турсунов М.Н., Ярим ўтказгичли қуёш элемен-тларифизикасиватехнологияси.Ўқувқўлланма.-Т.:ЎзМУ,2003.-104б.
   

ВЛИЯНИЕРЕНТГЕНОВСКОГОКВАНТАНАСТРУКТУРНЫЕХАРАКТЕРИСТИКИКВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХСТРУКТУР

М.Б.Шарибаев¹,Қ.А.Исмайлов^2
1НукусскийфилиалТУИТ,
²КаракалпакскийГосударственныйУниверситетимениБердаха

Интерескизлучениюквантово-размерныхструктурнаосновеА²В⁶материаловобусловленвозможностьюизготовлениянаихбазеинжекционных источников когерентного 1и некогерентного излучений, атакже излучателей с электронной накачкой 2, перекрывающих практическивесь видимый диапазон. Однако реализация данного класса гетероструктурстолкнулась с проблемой деградации их свойств как в процессе работы, так иприразличныхтермообработкахприизготовленииприборов.Ухудшениекачествагетероэпитаксиальныхслоевобычносвязываютсразмножениемдислокаций в активных областях при работе прибора. Существенную рольпри этом может играть присутствие подвижных точечных дефектов на фонерелаксационныхпроцессов,связанныхсзаметнымрассогласованиемпараметровслоевиподложкиGaAs.Важнымфакторомтакжеявляютсяэлектронные возбуждении. В данной работе изучено влияниеи облученияэлектронами,рентгеновскимиквантами,создающимитолькоэлектронныевозбуждения,наизменениеоптическиххарактеристикCdZnTe/ZnTe.

Измерения спектров ФЛ и отражения (R( )) в диапазоне от 1.4 до 2.4 эВпроводили в температурной области от 4.2 до 80 К на автоматизированнойустановкесрешёточным,авдиапазоне0.6–1.4эВспризменным

1