Guruh talabasi tohirov islomjon 1 – laboratoriya ishi Mavzu

 
XULOSA 
Ushbu parcha uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan MT 
deb ataladigan yarimo'tkazgichli asboblar maydoni tranzistorining 
turini tavsiflaydi. MT kristall hajmidagi elektr maydonlari ta'sirida 
asosiy zaryad tashuvchilarning drift harakatidan foydalanish orqali 
ishlaydi. Tok hosil bo'lishida faqat bitta turdagi asosiy zaryad 
tashuvchining (elektronlar yoki teshiklar) ishtirok etishi tufayli MTlar 
ba'zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi.
 
5- LABORATORIYA ISHI 
BTda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish 
Ishdan maqsad: Bipolyar tranzistordan yasalgan kuchaytirgich bosqichini 
tadqiq qilish va dinamik xarakteristikalari va differentsial parametrlarini o’lchash. 
Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi 
elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ataladi. Yuklamadan oqayotgan 
tokning qiymati kuchlanish manbai, zanjir parametrlari va tem-peratura o’zgarishlariga 
bog’liq bo’lmaydi. 
5.1-rasm. Ideal BTG VAXi. 
BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish 
toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat bo’lib, ular turli funktsional vazifalarni 
bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar. 
O’zgarmas tok qiymatini faqat cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan ideal tok 
manbai ta’minlashi mumkin. Ideal tok manbai VAXi gorizontal AV to’g’ri chiziqdan iborat 
(5.1-rasm). UB sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori 
VAXiga yaqin bo’ladi. Demak, UB sxemada ulangan tranzistor amalda tok generatori 
vazifasini bajarishi mumkin. Lekin temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni 
ta’minlash uchun amalda ikkita yoki undan ko’p tranzistor ishlatiladi. 
Eng sodda BTG sxemasi 5.2-rasmda ko’rsatilgan. Sxemada I
1
tok zanjiriga 

---

to’g’ri siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb ataluvchi VT1 tranzistor 
ulangan. U juda kichik qarshilikka ega. Shuning uchun VT1 kuchlanish generatori 
vazifasini o’taydi. U R
Yu
boshqariluvchi zanjir bilan ketma-ket ulangan VT2 
tranzistorning emitter-baza o’tishini kuchlanish bilan ta’minlaydi. 
VT2 tranzistor emitter-baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati bilan 
uning xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, UB ulangan 
sxemada aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga deyarli bog’liq bo’l-

---

Т 
maydi (5.2-rasm). Shuning uchun ixtiyoriy R
Yu
dan o’tayotgan tok I
2
tayanch kuchlanish 
U
EB2
 bilan aniqlanadi. I
2
 = I
1
 ekanligini amalda ko’rsatamiz. 
5.2-rasm. Sodda BTG sxemasi. 
I
E1
 va I
E2
 toklar yuqori aniqlikda 
I
Э

I
0
exp(U
БЭ
/

) 
(5.1) 
ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu erda, I
0
 – teskari silji-tilgan EO’ning to’yinish 
toki. Tranzistorlarning I
E0
 va φ
T
 para-metrlari aynan bir xil bo’lgani uchun U
BE1
= U
BE2
 
shartdan 
5.1-rasmdan 
I
Э1 

I
Э 2 
. 
(5.2)