Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik
xarakteristikalari va
differentsial parametrlarini o’rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini
tadqiq etish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:
Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 6.1-
rasmda keltirilgani kanali r- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.
a) b)
6.1-rasm
Stok toki zatvorga kuchlanish
berish orqali boshqariladi, ya'ni
boshqarilayotgan p-n o’tishga
teskari kuchlanish U
ZI
>0 beriladi.
U
ZI
dagi
berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi.
Natijada
berilgan U
SI
kuchlanish qiymatida
kanal kengligi kichrayadi,
uning
qarshiligi
R
K
ortadi, demak stok bilan istok oralig’idagi
stok toki I
S
kamayadi.
6.2- rasmda
boshqarish xarakteristikasi I
S
= f (U
ZI
) keltirilgan.
