Impurity Photovoltaic Effect in Multijunction Solar Cells

References 
[1] J. L. Gray, J. M. Schwarz, J. R. Wilcox, A. W. Haas, R. J. Schwartz, Peak efficiency of multijunction photovoltaic systems, In: Proc. 35th IEEE 
Photovolt. Spec. Conf., Honolulu, HI 2010, p. 002919 002923. 
[2] P. H. Huang, H. W. Wang, M. A. Tsai, F. I. Lai, S. Y. Kuo, Kuo, H. C. S. Chi, Optimum design of InGaP/GaAs/Ge triple-junction solar cells with sub-
wavelength surface texture structure, In: Proc. 37th IEEE Photovolt. Spec. Conf., Seattle, WA 2011, p. 002071-002073. 
[3] M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop, Solar cell efficiency tables (Version 39), Prog. Photovolt: Res. Appl., 2012; 20:12 20. 
[4] H. Cotal H., C. Fetzer, J. Boisvert, G. Kinsey, R. King, P. Hebert, H. Yoon, N. Karam, III V multijunction solar cells for concentrating photovoltaics, 
Energy Environ. Sci.,2009, 2, 174 192. 
[5] X. Lu, M. B. Diaz, N. Kotulak, R. Hao, R. Opila, A. Barnett, Wide Band Gap Gallium Phosphide Solar Cells, IEEE Journal of Photovoltaics 2012, vol. 
2, no. 2, p. 214-220. 
[6] M. Wolf, Limitations and possibilities for improvement of photo-voltaic solar energy converters, In: Proc. IRE, 1960, 48, p. 1246. 
[7] S. Zh. Karazhanov, Impurity photovoltaic effect in indium-doped silicon solar cells, J. Appl. Phys., 2001, 89 (7), p. 4030. 
[8] W. Shockley, H. J. Quiesser, Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells, J. Appl. Phys., 1961, 32, p. 510. 
[9] M. J. Keevers, M. A. Green, Efficiency improvements of silicon solar cells by the impurity photovoltaic Effect, J. Appl. Phys., 1994, 75, p. 4022. 
[10] J. Yuan, H. Shen, F. Zhong, X. Deng, Impurity photovoltaic effect in magnesium-doped silicon solar cells with two energy levels, Phys. Status Solidi 
A, 2012, 209, p. 1002-1006. 
[11] J. Yuan, Shen, H. Huang, X. Deng, Positive or negative gain: Role of thermal capture cross sections in impurity photovoltaic effect, J. Appl. Phys., 
2011, 110, p. 104508. 
[12] M. Schmeits, A. A. Mani, Impurity photovoltaic effect in c-Si solar cells. A numerical study, J. Appl. Phys., 1999, 85, p. 2207. 
[13] Y. Liu, Y. Sun, A. Rockett, A new simulation software of solar cells-wxAMPS, Solar Energy Materials and Solar Cells, 2012, 98, p. 124-128. 
[14] Y. Liu, D. Heinzel, A. Rockett, A Revised Version of the AMPS Simulation Code, In: Proc. 35th IEEE Photovolt. Spec. Conf., Honolulu, HI 2010, 
pp. 001943-001947. 
[15] B. G. Streetman, S. K. Banerjee, In: Solid State Electronic Devices, 6
th
ed. Pearson, New Jersey, 2006 
[16] Handbook Series on Semiconductor Parameters, vol.1, edited by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur, World Scientific, London, 1996. 
[17] W. Shockley, W. T. Read, Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons, Phys. Rev., 1952, 87, p. 835. 
[18] R. N. Hall, Electron-Hole Recombination in Germanium, Phys. Rev., 1952, 87, p. 387. 
[19] Y. K. Hsieh, H. C. Card, Limitation to Shockley Read Hall model due to direct photoionization of the defect states, J. Appl. Phys., 1989, 65, p. 2409. 
[20] M. Sze, K. K. Ng, In: Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Wiley, New York, 2007. 
[21] J. S. Jayson, R. Z. Bachrach, P. D. Dapkus, N. E. Schumaker, Evaluation of the Zn-0 Complex and Oxygen-Donor Electron-Capture Cross Sections in 
p-T ype GaP: Limits on the Quantum Efficiency of Red-Emitting (Zn, O)- Doped Material, Phys. Rev. B, 1972, 6, p. 2357-2372. 
[22] M. Mizuta and H. Kukimoto, Optical Cross Sections for the Zn-O Centerin GaP, Japan J. Appl. Phys., 1975, 4, p. 1617-1618. 
[23] S. Zh. Karazhanov, Mechanism for the anomalous degradation of silicon space solar cells, Appl. Phys. Lett., 2000, 76 (19), p. 2689.