Информация о диоде, сталбитроне, транзисторе

Схема подключения диодов

P N anod-katod

Diodning asl ko‘rinishi Varikap

Stabilitron Stabilitron

Tunelli diod Yorug‘lik diod

A K
B
Fotodiod Tiristor

Yorug‘lik diodning elektr zanjirga ulanish sxemasi

Anod Katod
Anod
Katod
Напряжение в цепи 5 вольт
Определить сопротивление резистора, рассчитанного на светодиод 20 мА, 2 В.


Итак, в резисторе 150 Ом тратится 3 вольта, а светодиод питается от 2 вольт.


4-jadval

Diod va stabilitronlarning belgilanishi

	Diodlarning rangli halqali belgilanishi PRO ELECTRON Yevropa
Ranglar	1-halqa	2-halqa	3-halqa	4-halqa
Oltin
Kumush
Qora	AA	X		0
Jigarrang			1	1
Qizil	BA	S	2	2
Olovrang			3	3
Sariq		T	4	4
Yashil		V	5	5
Ko‘k		W	6	6
Siyohrang			7	7
Kulrang		Y	8	8
Oq		Z	9	9

Misol uchun
BAT85

Цветовое обозначение стабилитронов
PHILLIPS Катод стабилитронов PHILLIPS маркируется цветом. Символ 1 указывает на тип стабилитрона, символ 2 указывает на напряжение стабилизации.
Katod-anod

1 2

Birinchi chiziq Stabilitronning xili Binafsharang BY80 Pushti BY81 Qora BY84

Ikkinchi chiziq Kuchlanish voltda Qora 4 Yashil 6 Qizil 8 Binafsharang 10 Pushti 12 Och binafsharang 14 Kulrang 16 Jigarrang 18 Ko‘k 20

5-jadval
Стабилитрон — полупроводниковый прибор, поддерживающий стабильное (стабильное) значение напряжения в цепях. В качестве стабилитрона VAX использует электронные устройства, в которых есть область, где напряжение не меняется при резком изменении значения тока. Такая область наблюдается при работе кремниевого полупроводникового диода в режиме электрических дырок. Поэтому кремниевые диоды используются в качестве полупроводниковых стабилизаторов. Условное обозначение стабилитрона на схеме. Условное обозначение одностороннего (а) и двустороннего (б) стабилитронирования на схеме и VAXi (г). Для распространенных маломощных кремниевых стабилитронов величина лавинного тока составляет около 10 мА, поэтому для ограничения тока, протекающего через стабилитрон, последовательно с ним включается ограничительное, балластное сопротивление Rb. стабилитрон не превышает допустимого значения тока, в таком режиме он может работать длительное время. Для многих стабилитронов допустимая мощность рассеяния составляет до (0,1^0,8) кВт. При изменении величины тока, протекающего со стабилитрона, от IsT мтн до IST max, значение которого практически не меняется, основным электрическим параметром стабилизатора напряжения является напряжение стабилизации Uср. Stabilitron работает в области электрической перфорации VAX. Величина напряжения стабилизации зависит от ширины p-n перехода, а ширина p-n перехода определяется концентрацией входов в базовых областях диода. Если концентрация входов была высокой при приготовлении стабилитрона если используются полупроводники, ширина p-n перехода будет тонкой. В таких p-n переходах происходит туннелирование и рабочее напряжение Usr не превышает 3-4 В. Представлен простой параметрический стабилизатор напряжения на основе стабилитрона. Номинал ограничительного (балластного) резистора RB в схеме подбирается таким образом, чтобы величина тока, проходящего через стабилитрон при заданном входном напряжении U, была примерно равна среднему значению 1-го мм и ИСТ max тока. IsTmin – минимальное значение тока стабилизации, при котором происходит электрический пробой. Значение тока Isrmax определяется (разрешенной) максимальной мощностью Rmax, которую может рассеивать стабилитрон. При увеличении входного напряжения или при уменьшении нагрузки за счет увеличения сопротивления нагрузки RU величина тока, проходящего через стабилитрон, резко возрастает. В результате увеличивается падение напряжения на балластном резисторе RB. Почти все увеличившееся значение входного напряжения теряется в балластном сопротивлении. При уменьшении входного напряжения или (из-за уменьшения сопротивления нагрузки RYu) при увеличении тока нагрузки величина тока, проходящего через стабилитрон, резко уменьшается, вызывая падение напряжения на балластном сопротивлении RB. В обоих случаях значение напряжения на выходе стабилизатора остается практически неизменным. Стабилизатор используется для стабилизации небольшого напряжения, и когда он работает, его перемещают в нужном направлении. При этом напряжение стабилизации одного стабилитрона составляет 0,7-Ю,8 В. Тот же результат достигается при правильном смещении обычных кремниевых диодов. Такой полупроводник называется диодным стабилизатором.В стабилизаторах с высоковольтной стабилизацией ширина p-n перехода должна быть большой. Поэтому концентрация материалов в них невелика, и они сделаны на основе кремния. В стабилитронах происходит лавинный пробой, а напряжение стабилизации выше 7 В. В промышленности выпускаются стабилитроны с напряжением стабилизации от 3 В до 400 В. Динамическое (дифференциальное) сопротивление стабилитрона в зоне перфорации рD характеризует уровень стабилизации. Это значение сопротивления определяется отношением малых изменений величины напряжения на диоде к соответствующим изменениям тока при заданных малых токах. Чем меньше значение ro, тем лучше стабилизация: _ A U „ (3.10) D ~ A T A 1 ST Показана кусочно-линейная аппроксимация стабилизатора VAX. Эта площадь VAX определяется следующим уравнением. Одним из важных параметров стабилитрона является температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКС). Он представляет собой относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на один градус. У низковольтных стабилтронов с туннелированием наблюдается отрицательный, происходит лавинный пробой, а у стабилтронов, работающих при высоких напряжениях, положительный КТК. Типичное значение КТК для стабилитронов не превышает 0,2-0,4% градусов. Коэффициент стабилизации KST определяется как отношение относительного изменения входного напряжения к относительному изменению выходного (стабилизирующего) напряжения. С увеличением входного напряжения или сопротивления нагрузки коэффициент стабилизации увеличивается. С увеличением входного напряжения увеличиваются потери мощности питания в балластном сопротивлении. Поэтому значение напряжения источника выбирают в два-три раза больше напряжения стабилизации. При величине нагрузки Рю^ю.кр ​​коэффициент стабилизации мал и сильно зависит от сопротивления нагрузки (рис. З.Ю). По этой причине они используются в качестве датчиков опорного напряжения в сложных транзисторных стабилизаторах напряжения. Транзистор (англ. transfer — передача и резистор) — 3-электродный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации (выработки) и изменения электрических колебаний, и основной элемент микроэлектронных устройств.
Транзисторы по своему строению, принципу действия и параметрам делятся на 2 класса — биполярные и полевые (униполярные) транзисторы. В биполярных транзисторах используются полупроводники с обоими типами (p-типа и n-типа) проводимости. Биполярный транзистор работает на близко расположенном p-n переходе и проводит ток через переход база-эмиттер. В полевых транзисторах используется только один тип полупроводника (n-типа или p-типа). Основное отличие таких транзисторов от биполярных в том, что они управляют напряжением, а не током. Регулирование напряжения осуществляется путем изменения напряжения между затвором и стержнем.
В настоящее время биполярные транзисторы (БТ) (международный термин - BJT, Bipolar Junction Transistor) занимают основное место в мире аналоговой техники. С другой стороны, в области цифровой техники полевые транзисторы вытеснили биполярные транзисторы. В 90-х годах прошлого века был разработан гибридный тип биполярных полевых транзисторов — IGBT, который до сих пор широко используется в электронике.