Интеграл инжекцион

14 - маъруза Интеграл инжекцион мантиқ

Интеграл инжекцион мантиқ (I²M) ҳақида тушунча

 I²M МЭнинг ишлаш принципи

Интеграл – инжекцион мантиқ элементи (И2М).

Микроэлектрон апаратлар ривожи КИС ва ЎКИСларини кенг қўллашга асосланган. Бу билан аппаратларнинг техник иқтисодий кўрсаткичлари ортмоқда:

Ишончлилик

Халақитбардошлилик ортмоқда

Массаси

ўлчамлари

Нархи камаймоқда

KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDYA – texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral – injeksion mantiq (I²M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.

ИИМ негиз элементнинг принципиал схемаси ва топология қирқими

Элемент VT1 (p1-n-p2) ва VT2 (n-p2-n+) комплементар БТлардан ташкил топган.

VT1 транзистор кириш сигналини инверсловчи VT2 транзистор учун база токи генератори (инжектори) вазифасини бажаради.

VT2 транзистор одатда бир нечта коллекторга эга бўлиб, элемент мантиқий чиқишларини ташкил этади. ИИМ турдаги элементларда ҳосил қилинган мантиқий схемаларда, VT1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан R резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди. Бундай ток билан таъминловчи қурилма инжектор токи қийматини, кенг диапазонда ўзгартириб унинг тезкорлигини ўзгартиришга имкон беради. Амалда инжектор токи 1 нА ÷ 1 мАгача ўзариши мумкин, яъни VT1 транзистор ЭЎидаги кучланишни озгина орттириб (ҳар 60 мВда ток 10 марта ортади) ток қийматини 6 тартибга ўзгартириш мумкин.
ИИМ ИС кремнийли n+- асосда тайёрланади, у ўз навбатида барча инвертор эмиттерларини билаштирувчи умумий электрод ҳисобланад.

n-p-n турли транзистор базаси бир вақтнинг ўзида p-n-p турли транзисторни коллектори бўлиб ҳисобланади. Элементларнинг бундай тайёрланиши функционал интеграция дейилади. Бу вақтда турли элементларга тегишли соҳаларни изоляция қилишга (ТТМ ва ЭБМ элементларидаги каби) эҳтиёж қолмайди.

ИИМ элементи резисторлардан ҳоли эканлигини инобатга олсак, яхлит элемент кристаллда ТТМдаги стандарт КЭТ эгаллаган ҳажмни эгаллайди.
ИИМ негиз элементнинг шартли белгиланиши
Иккита кетма-кет уланган ИИМ элементлар занжири
Схемадан фойдаланиб 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС мантиқий амалларини бажарувчи МЭларни тузиш мумкин.

ИИМ схемалар тезкорлиги инжекция токи IИ га кучли боғлиқ бўлиб, ток ортган сари ортади.

Бу вақтда АҚУ озгина ортади ва 4÷0,2 пДжни ташкил этади.

Элемент қайта уланишининг ўртача кечикиш вақти 10÷100
нс, яъни ТТМ элементникига нисбатан бир неча марта катта. Аммо қувват истеъмоли 1-2 тартибга кичик бўлади.
Мантиқий ўтиш кичиклиги туфайли ИИМ элементининг халақитбардошлиги ҳам кичик (20÷50 мВ) бўлади.

Шунинг учун бу схемалар фақат КИС ва ЎКИСлар
таркибида ва кичик интеграция даражасига эга мустақил ИСлар сифатида қўлланилади.
И2М МЭнинг Х киришига статик режимда мантиқий 1га
мос кучланиш берилганда манба ЕМ дан энергия истеъмол қилиши, унинг камчилиги ҳисобланади.

4Ham- emas matiqiy elementi sxemasi

4 yoki-emas mantiqiy elementi

Эътиборингиз учун рахмат