Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti elektronika va avtomatika fakulteti elektron apparatlarni ishlab chiqarish yo‘nalishi

Chegaraviy chastota – yorug‘lik oqimini modellashtiruvchi sinusoidal signalning chastotasi fcheg bo‘lib, unda fotorezistor sezgirligi modullashtirilmagan oqimdagi (f_cheg≈10³…10⁵ Gs) sezgirlik bilan taqqoslaganda marta kamayadi.
Ayrim hollarda fotorezistorlarning chastotaviy xossalari3.2, a, b – rasmda, yuqori (egri chiziq 1) va past (egri chiziq 2) qorong‘ulik o‘tkazuvchanligiga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlar uchun keltirilgan o‘tish tavsifi bilan tavsiflanadi.

2.7–rasm.Kirishsignali (a), o‘tish(b) vaharorat (c) tavsifihamdauningshartlibelgilanishi (d)
Fototokning harorat koeffitsiyenti fotorezistor parametrini harorat o‘zgarishi bilan o‘zgarishini tavsiflaydi:
(2.10)
Sanoatda ishlab chiqarilgan fotorezistorlarda α_t≈–10³…10^-4 grad^-1. Ba’zida atrof muhitning harorati o‘zgarganda qarshilikning nisbiy o‘zgarishini tasvirlovchi fotorezistorning harorat tavsifi ishlatiladi.
Ostonaviy oqim – fotorezistorni o‘zining xususiy shovqin fonida aniqlashi mukin bo‘lagn _oq oqimning minimal qiymati. _oq o‘rtacha kvadrat sinusoidal – modullashtirilgan yorug‘lik oqimi sifatida aniqlanib, uning ta’sirida o‘rtacha kvadratik chiqish elektr signali fotorezistor shovqininnig o‘rtacha kvadratik qiymatiga teng bo‘ladi.
2.5-rasmda keltirilgan qurilmada fotorezistor potonsiometr, qarshili, transistor va rele qatnashgan bo’lib, fotorezistordagi qarshilikning o’zgarishi xisobiga ishlovchi qurilma. Yani yoruglik tushganda fotorezistordagi qarshilik kamayib rele ochiq xoliga o’tadi. Qorong’u vaqtda fotorezistor qarshiligi ko’tarilib rele ulanadi.

XULOSA

Ushbu kurs ishini yozish davomida ko’plab yangi malumorlar xususan qarshiliklar va ularning turlari bilan tanishib chiqdim. Fotorezistorni o’rganib texnik parametrlari va ishlash tamoili bilan tanishib chiqdim.
Fotorezistorlarda infraqizil, ko‘rish yoki ultra binafsha nurlanish ta’sirida modda qarshiligining o‘zgarish hodisasidan foydalanishadi. Fotorezistorning asosiy elementi yoritilganda qarshiligi o‘zgaradigan yarimo‘tkazgichli plastinadir. Foto o‘tkazuvchanlik mexanizmini hosil bo‘lishini quyidagicha tushintirish mumkin. Issiqlik energiya ta’siri natijasida qorong‘ulikdagi yarimo‘tkazgichda katta bo‘lmagan miqdorda harakatchan zaryad tashuvchilar (elektronlar va kovaklar) paydo bo‘ladi. Mos holda yarimo‘tkazgich boshlang‘ich o‘tkazuvchanlikka σ₀ ega bo‘ladi hamda uni qorong‘ulikdagi o‘tkazuvchanlik deb atashadi: