Исследование ключевых схем на биполярных транзисторах

МИНИСТЕРСТВО РАЗВИТИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
И КОММУНИКАЦИЙ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

ТАШКЕНСТКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

им. МУХАММАДА АЛЬ-ХОРЕЗМИ
Самостоятельная работа
по дисциплине «Схемотехника и электроника 2»
на тему:
«ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ»
Выполнила: студентка факультета
« Телекоммуникационной технологии »
Давлатова Зебинисо
группы САЕ 202
Проверил: Фазилжанов Исмаил Рустамович

г. Ташкент 2023 год

Цель работы:
1. Изучить принцип действия, основные характеристики и параметры электронных ключей на БТ.
2. Выполнить инженерный расчет транзисторного ключа на БТ.
Исходные данные:

Вариант	Напряжение источника питания UИП, В	Сопротивление нагрузки RН, Ом	Коллекторное сопротивление RК, Ом
14	7	650	430

1. Расчёт параметров транзисторного ключа на БТ

На рис.1 приведена принципиальная схема электронного ключа БТ с ОЭ для кремниевого транзистора.



Рис. 1. Схема электронного ключа на кремниевом БТ с ОЭ: а) принципиальная схема; б) эквивалентная схема

Произведем выбор типа транзистора.

Рассчитываем ток коллектора:
I_К=(U_ИП-U_КЭНАС)/R_К ,
где
U_ИП – напряжение источника питания (10В)
U_КЭНАС - напряжение насыщения биполярного транзистора (типично от 0.2 до 0.8В, хотя и может различаться для разных транзисторов), в нашем случае примем 0.4В
R_К- коллекторное сопротивление (150 Ом)

Таким образом: