Issn 2010-9075 бердак атындаи ! Кара калпа к >дак £кет. М0Млекетлик университетиниц

и х и 
* 
при всех 
х  
£ 
D 1
(
М , т )
. Теорема доказана.
ЛИТЕРАТУРА
1. 
Абдуллаев Р.З., Пространства сопряженные к коммутативным алгебрам Аренса, Узб.мат.журнал. - 1997. - №2. 
- с.3-7.
2. 
Абдуллаев А.З., Изоморфизмы некоммутативных алгебр Аренса, Доклады АН РУз, - 1997, - 8. - с.8-10.
3. 
Аюпов LL1. А., Кудайбергенов К. К., Калаидаров Т.С., *-автоморфизмы алгебры Аренса ассоциированной с 
алгеброй фон Неймана типа 1. Узб. Мат. Жур. Ташкент, - 2007. - №4. - С. 9-17.
4. 
Kaplansky I.,Modules over operator algebras, Ann. of Math, - 1953, - 75. - P. 839-858,
5. 
Муратов M.A., Чилин В.И., Алгебры измеримых и локально измеримых операторов, Праш 1н-ту математики 
НАН Украши, - 2007, - 390 с.
S u m m ary
In the paper, it is show n that any 
- P ( Z ( M ) ) -
hom ogeneous "‘-autom orphism o f the Arens algebra, associated 
with a type 1 von N eum ann algebra 
M 
, is inner.
УДК:, 621.382.2
Э Ф Ф Е К Т Ы Р А Д И А Ц И О Н Н Ы Х В О ЗД Е Й С Т В И Й НА Ф И З И Ч Е С К И Е Х А Р А К Т Е Р И С Т И К И
А Р С Е Н И Д Г А Л Л И Е В Ы Х Д И О Д Н Ы Х С Т Р У К Т У Р Т И П А
A u-T i-G aA s
И с м а и л о в К.А ., Б и ж а н о в Е.К ., А м етов Р., Т у р с ы н б а е в С.
М ногочисленными исследованиями установлено, что высоко стойкие и надежные контакты к различным 
внешним воздействиям остается до настоящего времени актуальной задачей как фундаментальном, так и 
прикладном аспекте [1-4]. У спеш ное реш ение проблемы повышения качества и надежности таких приборов 
тесно 
связано 
с 
исследованием 
причин 
и 
механизмов 
отказов 
полупроводниковых 
приборов 
и 
соверш енствованием 
на этой основе их конструкции и технологии, П оэтому при конструировании, 
изготовлении приборов, планировании их испытании необходимо знать характер изменений параметров при 
различных внеш них воздействиях, допустим ы е значение температуры, электрических полей, различных видов 
радиаций и ряд других ф акторов влияю щ их на качество и надеж ность готовых полупроводниковых приборов. 
В связи с этим исследование физических процессов, определяю щ их свойства приборных структур с барьером 
м еталл-полупроводник всегда вызывает огромный и н те р ес у многих исследователей.
В данной статье обсуж даю тся результаты исследования влияния гамма-радиации в диапазоне доз 1 0 ^ 1 0
Р на электрофизические параметры полупроводниковых структур с барьером Ш оттки Au-Ti-GaAs.
До и после облучения измерялись статические вольтамперны е характеристики (ВА Х ) диодных структур. 
Из ВАХ определялись высота барьера 
фактор t качества (коэффициент идеальности) «, и зависимости 
обратного тока 1„Лр от времени облучения.
На рис.1 приведена дозовая зависим ость фактора качества высоты барьера арсенид галлиевых приборных 
структур (диодов с барьером Ш оттки). Из рисунка видно, что в диапазоне доз 104 - 10' Р параметры барьера 
Ш оттки улучш аю тся, высота барьера увеличивается от 0,87 В в необлученных структурах до 0,89 В после 
облучения до дозы Ю Р, а ф актор качества уменьшается от величины 1,25 до 1,12.
12

---

lemoB 
). По
1
емент
- №2.
11
ной с
латики
im a ry
>ciated
[ЧНЫМ
гак п 
боров 
эв 
и 
;аиии, 
в при 
зилов 
юров. 
>ером
г Ч о 7
ктур.
40СТИ
рных
рьера
10CJ1C
- 1
,26
- 1
,2-4.
1 ,22
- 1 ,2 0
— 1,18 
-1,1©
-1,1-4- 
- 1 .1 2
, 
г 
. 
.........................- 
.......................... 
....... ....-..-.- 1,10
1 о° 
1 а'1 
ю й 
1 аЛ 
ю '
Д о з а , R
Рис. 1. В л и я н и е о б л у ч ен и я у -к в а н т а м и 60Со на п а р а м е т р ы П Б С A u-Ti-»-H 1-G aA s.
Измерение радиуса кривизны тестовых структур n-n*-GaAs с контактами Au-Ti-«-w+-GaAs показало, что 
при облучении их дозой 5 x I 0 6 Р кривизна в A u-Ti-«-«+-GaAs структурах ум еньш илась и ум еньш илась величина 
остаточной деформации в «-/?+-GaAs структуре по сравнению с исходной.
Анализ обратны х токов а диодны х структурах A u-Ti-GaAs до и после облучения у-квантами 60Со до дозы 
5 х ] 0 6 Р показал, что практически на всех облученных диодных структурах обратны й ток термогенерационной 
природы уменьшается больш е, чем на порядок во всем диапазоне измеряемы х напряжений, вплоть до 
напряжения пробоя, что обусловлено уменьш ением концентрации генерационно-рекомбинационны х центров
и. как следствие, увеличением времени жизни неосновных носителей заряда т