Йўналиши бўйича бакалавр даражасини олиш учун
Download 0.6 Mb. Pdf ko'rish
|
Kitob 7849 uzsmart.uz
|
Мавзунинг мақсади. Инсоният ҳаѐтининг ҳозирги кундаги
даражасини замонавий техника воситаларисиз тасаввур этиб бўлмайди. Бу ўринда яримўтказгичли асбоблар ва уларни ишлаб чиқариш технологиясининг ривожи ҳал қилувчи аҳамиятга эга бўлмоқда. Интеграл микросхемалар ва дискрет яримўтказгичли асбоблар ишлаб чиқаришда эпитаксиал жараѐнлар энг олдинги ўринни эгаллайди. Эпитаксиал технология қўлланилиши кейинги 10-15 йил ичида сифатли маҳсулотлар ишлаб чиқаришни 4-5 марта ошириб юборди. Ушбу ишда эпитаксиал усуллар асосида яримўтказгичли асбобларни ишлаб чиқариш технологиясини баѐн этиш мақсад қилиб қўйилган. Яримўтказгичли асбоблар ва ИМС лар тайѐрлаш технологиясида яримўтказгич материалга баъзи қарама-қарши талаблар қўйилади. Масалан, импулсли диодларда тешилиш кучланишини ошириш учун яримўтказгич пластинанинг солиштирма қаршилигини ошириш керак, у эса иккинчи томондан, ѐйилма оқим қаршилиги ўсишига, асбобнинг импулс хоссалари ва тезкорлигини ѐмонлаштиради. Транзисторлар тайѐрлаш технологиясида ҳам муаммолар мавжуд. Масалан, коллектор соҳасининг солиштирма қаршилигини катта бўлиши юқори тешилиш кучланиши олишига имкон беради, бироқ коллектор ҳажмида катта миқдордаги зарядлар тўпланишига олиб келиб, транзистор тезкорлигини камайтиради ва коллекторнинг катта кетма-кет қаршилиги транзистор қувватини чегаралаб қўяди. Худди шундай муаммолар бошқа яримўтказгичли асбоблар ва ИМС лар тайѐрлашда ҳам учрайди. Эпитаксия усули яратилиши бундай муаммоларни ечишда анчагина имконият берди ва БМИда бу усулнинг имкониятларини очиб беришга ҳаракат қилинади. БМИда эпитаксия усули билан яримўтказгич моддалар олиш ва яримўтказгичли асбоблар тайѐрлаш технологияси жараѐнларининг асосий 5 тушунчалари физик, кимѐвий, физик-кимѐвий хусусиятлари, уларнинг қонуниятлари баѐн қилинган бўлиб, у кириш, 4 та боб, хулоса ва фойдаланилган адабиѐтлар рўйҳатидан иборат бўлиб, 41 бетни ташкил этади. |
