Ki fakulteti ki 16-21(S) guruh talabasining

fotorezist deyiladi. Fotorezist 
yordamida namuna sirtida IMS ning topologiyasi – ya’ni elementlarining joylashish 
o’rni hosil qilinadi. 

---

3. Kremniy plastina sirtiga fotoshablonni joylashtirib ekspozisiya qilish 
(ultrabinafsha nurlanish bilan ishlov berish). 
4. Fotorezistorning polimerlashmagan qismi olib tashlanib, 
alohida sohalarga «darcha»lar ochish va bu sohada donor aralashma diffuziyasini 
olib borish. Bu jarayonlar natijasida n+ soha hosil qilinadi. 
5. Yarim o’tkazgich plastina sirtiga n-epitaksial qatlam o’stirilib, uning sirtiga 
qaytadan oksid va fotorezist qatlami qoplanadi. 
6. 3- va 4- bosqichlar yana bir karra takrorlanadi, faqat bu gal diffuziya natijasida 
izolyasilovchi p-n o’tish hosil qilinadi. 
7. Ushbu bosqichda tranzistorning bazasi va epitaksial qatlamga akseptor aralashma 
kiritilib rezistor sifatida ishlatiladigan soha hosil qilinadi. 
8. Tranzistorning kollektor va emmiter sohalarini hosil qilish va ulardan elektrodlar 
chiqarish uchun yangi ―darcha‖lar ochiladi va donor aralashma diffuziyalanadi. 
9. Emmiter, baza, kollektor va rezistordan elektrodlar chiqarilib, sxemaga binoan 
o’zaro ulanadi.

---

XULOSA 
Men bu mustaqil ishda IMS tayyorlash jarayoni xaqida tushunchaga ega 
buldim. Bugingi axborot soxasi rivojlangan asrda tezkor va sifatli ims tayyorlash 
juda muximligi,hamda ims tayyorlash jarayonida harbir ishga sinchkovlik bilan 
o’lchamlar asosida yondashish zarur. IMS tayyorlovchi zavodlar yarim tayyor 
maxsulotdan ims tayyorlash uchun juda toza sharoit zarur,shuning uchun ims 
tayyorlash jarayonlari qiyin kechadi.Qisqa qilib aytganda IMSlar rivojlangan 
asrning ajralmas bulagi.

---

Foydalangan adabiyotlar: 
1. 
https://fayllar.org/download/mavzu-ims-tayyorlash-jarayoni-reja.doc
 
2. 
https://fayllar.org/download/ims-aktiv-va-passiv-elementlari.doc
 
3. https://chat.openai.com/c/78b8326e-b100-4b2b-8b32-ab2074f5db0b