«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat -variant

17-Variant
1) Kriogen texnikasi
2) Bipolyar taranzistorlarning umumiy emitterli ulanish sxemasida kirish satatik xarakteristikasi
3) p-n o’tish hodisasida ko’chkisimon buzilish


<sup>1. Kriogen texnikasi - kriogen temperaturalar, yaʼni 120°K dan past temperaturalar hosil qilish, toʻtib turish va ulardan foydalanish texnikasi. Kriogen texnikasi vositalari: kriostat va shunga oʻxshash boshqa qurilmalar; suyultirilgan va qattiq holatga keltirilgan gazlar (kislorod, azot, geliy va boshqalar) ishlab chiqaradigan qurilma va apparatlar; bu gazlarni saqlash va tashish uchun idishlar; oʻta past temperaturalardan foydalanib izotop va gaz aralashmalariga ajratuvchi qurilmalar. Boʻlardan tashqari, kriogen vakuum vasoslari, oʻta oʻtkazuvchan kriogen generatorlar, dvigatellar va gazli sovitish mashivasi asosidagi solenoidlar, mikrosovitkichlar va boshqalar Kriogen texnikasi ning vositalari boʻlib xizmat qiladi. Kriogen texnikasi vositalari va usullardan energetikada, kriogen elektronikada, metallurgiya, atom, kosmik va raketa texnikasida, shuningdek, tibbiyotda (kriojarrohlik asboblari), biol.da (kriobiologiya), qishloq xoʻjaligi, oziq-ovqat sanoati va boshqalarda foydalaniladi. Kriogen temperaturalarni fan va texnikaning koʻp sohalarida qoʻllash natijasida Kriogen texnikasi ning bir necha mustaqil yoʻnalishlari, mas, krioelektronika, kriobiologiya va boshqa paydo boʻldi.
2. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalarida elektrodlar uchta bo'lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB) , umumiy emitter (UE) , umumiy kollektor (UK) (2-rasm). Bunda ВТ elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o'zgaruvchan tok (signal) bo'yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning 2-rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.BTning statik rejimda umumiy baza (a), umumiy emitter (b) va umumiy kollektor (d) ulanish sxemalari.Kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo‗nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo’lib, juda kam ishlatiladi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma‘lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‗lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo’lib U = const bo‗lgandagi I= f (U) bog‗liqlik, U sxemasi uchun esa U = const bo’lgandagi I=f(U) bog‗liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to’g’ri yo’nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko’rinishiga ko’ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega.Bipolyar tranzistorlarning xususiy xossalari asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning baza orqali uchib o’tish vaqti va o’tishlarning to’siq sig’imlarining qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadilar. Juda kichik kirish signallari va aktiv ish rejimi uchun bipolyar tranzistorni chiziqli to’rtqutblik ko’rinishida ifodalash mumkin va bu to’rtqutblikni biror parametrlar tizimi bilan belgilash mumkin. Bu parametrlarni h–parametrlar deb atash qabul qilingan. Ularga quyidagilar kiradi: h11 – chiqishda qisqa tutashuv bo’lgan vaqtdagi tranzistorning kirish qarshiligi; h12 – uzilgan kirish holatidagi kuchlanish bo’yicha teskari aloqa koeffisienti; h21 –chiqishda qisqa tutashuv bo’lgan vaqtdagi tok bo’yicha kuchaytirish (uzatish) koeffisienti; h22 –uzilgan kirish holatidagi tranzistorning chiqish o’tkazuvchanligi. Barcha h – parametrlar oson va bevosita o’lchanadi. Elektronika bo’yicha avvalgi adabiyotlarda kichik signalli parametrlarning chastotaviy bog’liqliklariga juda katta e‘tibor qaratilgan. Hozirgi vaqtda 10 GGs gacha bo’lgan chastotalarda normal ishni ta‘minlaydigan tranzistorlar ishlab chiqarilmoqda. Bunday xollarda talab qilinayotgan chastota xarakteristikalarini olish uchun ma‘lumotnomadan kerakli tranzistor turini tanlash kerak.</sup>