Конференция 9-10 октябрь 2020 рэм pdf

 
9-10 oktyabr Toshkent 2020 yil 
61 
Хулоса қилиб айтганда кремний асосида ҳосил қилинган бинар 
бирикмаларимиз инфақизил ва кўзга кўринадиган нурлар соҳасида 
самарадорлиги салмоқли даражада юқори ҳисоблаанди. 
Адабиётлар 
1. Зикириллаев Н.Ф., Бегимқулова К.Қ., Ноананавий қайта тикланувчи 
энергия манбаларидан изоҳли луғат. -Т.: Мериюс, 2010.-145б. 
2. Баҳодирхонов М.К., Илиев Х.М., Исаев Ф.М., Каримов Р.А., 
Электроника фанидан асосий тушунчалар изоҳли луғат. –Т.: Мериюс, 2008.-
134б. 
3. Акрамов Ҳ., Зайнабиддинов К., Тешабоев А. Ярим ўтказгичларда 
фотоелектрик ҳодисалар. Оъқув қўлланма. -Т.: Ўзбекистон, 1994. – 134 б.. 
4. Илиев Х.М., Ковешников С.В., Усенкон Ю. Алътернативние 
источники энергии. Учебное пособие. -Т.: Саёхат, 2007.-146б. 
5. Мамадалимов А.Т., Турсунов М.Н., Ярим ўтказгичли қуёш элемен-
тлари физикаси ва технологияси. Ўқув қўлланма. -Т.: ЎзМУ, 2003.-104 б. 
ВЛИЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО КВАНТА НА СТРУКТУРНЫЕ 
ХАРАКТЕРИСТИКИ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР
М.Б. Шарибаев
1
, Қ.А. Исмайлов
2

1
Нукусский филиал ТУИТ, 
 
2
КаракалпакскийГосударственный Университет имени Бердаха
Интерес к излучению квантово-размерных структур на основе А
2
В
6
материалов обусловлен возможностью изготовления на их базе 
инжекционных источников когерентного [1] и некогерентного излучений, а 
также излучателей с электронной накачкой [2], перекрывающих практически 
весь видимый диапазон. Однако реализация данного класса гетероструктур 
столкнулась с проблемой деградации их свойств как в процессе работы, так и 
при различных термообработках при изготовлении приборов. Ухудшение 
качества гетероэпитаксиальных слоев обычно связывают с размножением 
дислокаций в активных областях при работе прибора. Существенную роль 
при этом может играть присутствие подвижных точечных дефектов на фоне 
релаксационных процессов, связанных с заметным рассогласованием 
параметров слоев и подложки GaAs. Важным фактором также являются 
электронные возбуждении. В данной работе изучено влияние и облучения 
электронами, рентгеновскими квантами, создающими только электронные 
возбуждения, на изменение оптических характеристик CdZnTe/ZnTe. 
Измерения спектров ФЛ и отражения (R(
l
)) в диапазоне от 1.4 до 2.4 эВ 
проводили в температурной области от 4.2 до 80 К на автоматизированной 
установке с решёточным, а в диапазоне 0.6 –1.4 эВ с призменным