Лаборатория иши №10. Оптронни тадқиқ этиш

Оптрон инертсионлиги ёруғлик диоди ва нур қабул қилгичдаги жараёнлар билан боғлиқ бўлиб, ёрдамида аниқланади (8.6 - расм).

Диодли оптроннинг қуйидаги асосий параметрларини кўрсатиш мумкин:

максимал кириш токи - И_{КИР мах};

максимал кириш кучланиши У_{кир мах};

максимал чиқиш тескари кучланиш У_{ЧИҚ.теск. мах};

берилган токка мос келувчи ўзгармас кириш кучланиши У_КИР;

чиқишдаги тескари қоронғулик токи И_{ЧИКҚтеск. Қ};

чиқиш сигналининг ортиб бориш т_орт. ва камайиб бориш т_кам. вақтлари (берилган диодли оптрон чиқишидаги сигнал ўзининг максимал қийматидан 0.1-0.9 ва 0.9-0.1 оралиқларда ўзгаради) (8.6 - расм);

ток бўйича узатиш коеффитсиенти К_И – чиқиш токи ўзгаришининг кириш токига нисбати К_И = (И_ЧИҚ-И_{ЧИҚ.теск.Қ}.)/И_КИР.

Лабораторияда ўлчанадиган диодли оптрон чегаравий қийматлари ва чиқишларининг жойлашиши иловада келтирилган.

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

Тадқиқ этилаётган оптрон принтсипиал схемасини ва чегаравий қийматларини ёзиб олинг.

2.1. Диодли оптрон характеристикасини тадқиқ этиш.

2.1.1. 8.7 – расмда келтирилган схемани йиғинг. Манбадан берилаётган чегаравий ток қийматини оптрон чегаравий қийматларига мос равишда ўрнатинг.

2.1.2. э1 ни ўзгартириб бориб, оптроннинг кириш характеристикаси И_КИР=ф(У_КИР) ни ўлчанг. Ёруғлик диоди киришидаги қаршилик Р1 дан анча кичик бўлганлиги сабабли, кириш қаршилигини И_КИР= э1/Р1деб олинг.

5.7-расм

Ўлчаш натижаларини 8.1 – жадвалга киритинг.

5.1 – жадвал

Е1, В
УКИР, В
ИКИР=Е1/Р1, мА

2.1.3. Э2=0 деб олинг. Э1 ни ўзгартириб бориб, фотоволтаик режим учун оптрон узатиш характеристикасини И_ЧИҚ=ф(И_КИР) ўлчанг.

Ўлчаш натижаларини 8.2 – жадвалга киритинг.

5.2 – жадвал

Е1, В
УКИР, В
ИКИР=Е1/Р1, мА

2.1.4. Э2=5 В ўрнатинг. 2.1.3 – банддаги ўлчашларни фотодиодли режим учун такрорланг. ўлчаш натижаларини 5.2 – жадвалга ўхшаб, 5.3 – жадвалга киритинг.

5.3 – жадвал

Е1, В
УКИР, В
ИКИР=Е1/Р1, мА

2.1.5. Оптрон чиқишидаги сигналнинг ортиб бориш т_орт. ва камайиб бориш т_кам. вақтларини ўлчанг.

5.8 – расмда келтирилган схемани йиғинг, ёруғлик диоди занжирига импулс генераторини уланг. Генратор чиқишида амплитудаси 5В ва частотаси 1кГс бўлган импулсни ўрнатинг. Р2 қаршиликка 1:10 кучланиш бўлувчиси орқали остсилограф уланг. (Остсилографнинг бошқа каналидан генератор чиқишидаги импулс амплитудасини ўлчаш учун фойдаланинг). Э2=5 В ўрнатинг ва чиқиш токи остсилограммасидан сигналнинг ортиб бориш т_орт. ва камайиб бориш т_кам. вақтларини ўлчанг.

Е2=0 ни ўрнатинг ва фотоволтаик режим учун вақт ўлчовларини такрорланг.

5.8-расм

2.2. Транзисторли оптрон характеристикаларини тадқиқ этиш.

5.9 – расмда келтирилган схемани йиғинг, э2=5 В ўрнатинг.

5.9-расм

(Бу схемада оптрон фотодиоди ва ташқи транзистор фототранзисторни имитатсия қилади).

Е1 ни ўзгартириб бориб, И_КИР=Е1/Р1 ва И_ЧИҚ=И_К деб олиб, транзисторли оптрон узатиш характеристикаси И_ЧИҚ=ф(И_КИР) ни ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 5.2, 5.3 жадвалларга ўхшаш тарзда 8.4 – жадвалга киритинг.

5.4 – жадвал

Е1, В
УКИР, В
ИКИР=Е1/Р1, мА

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.

3.1. Оптрон кириш характеристикасини қуринг ва И_КИР=10 мА қийматига мос келувчи кириш кучланиши У_КИР қийматини аниқланг.

3.2. Диодли ва фотоволтаик режимлар учун оптрон узатиш характеристикаларини қуринг ва И_КИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коеффитсиентини К_И аниқланг.

3.3. Диодли оптронда сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вақтини ҳисоблаб топинг.

3.4. Транзисторли оптрон узатиш характеристикасини қуринг ва И_КИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коеффитсиентини К_И аниқланг.