Мустақил иш мавзу

ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ВА КОММУНИКАЦИОН ТЕХНОЛОГИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ
МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
Электроника ва радиотехника кафедраси

“Электроника ва схемалар 2” фанидан

МУСТАҚИЛ ИШ
Мавзу: «Интеграл микросхемалар яратиш усуллари (тайёрлаш технологиялари) . Мантиқий элементлар ва уларнинг узатиш характеристикаси,конденсаторларнинг вазифаси ва ясалиши.»
Бажарди: 029-21 гурух талабаси
Рузибоев Зарифжон
Тошкент 2023
Режа:
1.1 ИМС ларни турлари.
1.2 ИМСни лойихалаш.
1.3 ИМС ни яратиш технологясининг асосий босқичлари.
2.1 Мантиқий елемент (МЕ) таърифи
2.2 Aсосий мантиқий функсиялар
2.3 МЕларнинг параметрлари
3.1 Конденсаторларнинг вазифалари ва ясаълиши
8.Хулоса
1.1 ИМС ларни турлари.


Интеграл микросхемалар бажарадиган функсиясига кўра 2 турга бўлинади:
1. Рақамли ИМС лар.
2. Aналогли ИМС лар.
Дискрет функсия қонунияти билан ўзгарувчи сигналларни қайта ишлаш ва узатишга мўлжалланган ИМС лар рақамли ИМС лар дейилади. Aналогли ИМС ларда еса, сигнал узлуксиз функсия кўринишида ўзгаради.

Лойиҳавий - технологиявий белгилари, яъни яратиш усулига қараб ИМС лар:
1. Ярим ўтказгичли;
2. Гибрид ИМС ларга бўлинади.
Ярим ўтказгичли ИМС ларда барча елементлар ва елементларни улаш ярим ўтказгич ҳажми ёки сиртида амалга оширилади. Бундай ИМС ларда елементлар ярим ўтказгичнинг 0,5-10 мкм қалинликдаги сиртки қатламида жойлаштирилади ва елементлар махсус изолясия соҳалари билан ажратилади. Ярим ўтказгичли ИМС ларда ишлатиладиган актив елементнинг турига қараб улар 2 асосий гуруҳга бўлинади:
1. Биполяр транзистор асосидаги ИМС лар.
2. Металл–диелектрик-ярим ўтказгич (МДЯ) трансистор асосидаги ИМС лар.

Биполяр микросхеманинг асосий елементи бўлиб н-п-н транзистор ҳисобланади. МДЯ микросхемаларда еса, н-каналли МДЯ транзистор асосий актив елемент ҳисобланади.
Гибрид ИМС осма компонентлар ва қатламли пассив елементлардан ташкил топган бўлади. Диелектрик таглик - платага юпқа қатламли пассив елементлар (резистор, индуктивлик, конденсатор) ҳосил қилиниб, актив елементлар (корпуссиз транзистор, диод) пайвандлаб ўрнатилади. Гибрид ИМС ҳосил қилинган қатлам қалинлигига қараб, юпқа қатламли (д>1 мкм) ва қалин қатламли (д<1 мкм) ИС ларга бўлинади. Гибрид ИМС лар нисбатан арзон ва осон ясалади, аммо ўлчамлари катта ва йиғиш технологияси мураккаблиги сабабли ярим ўтказгичли ИМС ларга қараганда камроқ ишлатилади. Ярим ўтказгичли ИМС лар қатор афзалликларга ега бўлиши билан бирга уларнинг ўзига хос камчиликлари ҳам мавжуд.