Назорат саволлари:
1. Ички фотоэффект деб қандай ҳодисага айтилади?
2. Диод фототоки ҳосил бўлиш жараёнини тушунтириб беринг. Бу жараённи қайси параметр изоҳлаб беради?
3. Нима сабабли фототранзистор сезгирлиги фотодиод сезгирлигидан юқори?
4. Фотодиод инерционлиги сабаби нима?
5. Фототранзистор инерционлигига сабаб нимада?
6. Ёруғлик диоди ишлаш принципини тушунтириб беринг.
7. Нима учун оптронлар электр занжирларни ажратишда қўлланилади?
Лаборатория иши №9
Умумий база уланиш схемасидаги БТнинг статик вольт-ампер характеристикаларини тадқиқ этиш
Ишдан мақсад: Умумий база уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш.
БТ электродларидан бири схеманинг кириш ва чиқиш занжирлари учун умумий, унинг ўзгарувчан ток (сигнал) бўйича потенциали эса нолга тенг қилиб олинади.
Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
4.1. Лаборатория ишини бажариш олдидан уинг паспорт кўрсатмаларини ёзиб олинг.
4.2. Умумий база уланиш схемасидаги биполяр транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчашда 4.1-расмда келтирилган принципал схемани йиғинг, схемани ўлчашда қўлланиладиган ўлчов асбоблари билан танишиб чиқинг.
Rэ=500÷1000 Ω, Rк=1000 Ω, VT-МП37Б
4.1-расм. УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчаш схемаси
УБ уланиш схемасидаги БТ нинг кириш характеристикалари оиласини ўлчаш учун жадвал (4.1).
Вариант
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
Rэ,Ом
|
500
|
520
|
540
|
560
|
580
|
600
|
620
|
640
|
660
|
680
|
700
|
720
|
740
|
Вариант
|
14
|
15
|
16
|
17
|
18
|
19
|
20
|
21
|
22
|
23
|
24
|
25
|
26
|
Rэ,Ом
|
760
|
780
|
800
|
820
|
840
|
860
|
880
|
900
|
920
|
940
|
960
|
980
|
1000
|
4.1 – жадвал
UКБ= 0В
|
IЭ (мА)
|
0
|
-1
|
-2
|
-3
|
-4
|
-5
|
-6
|
-7
|
-8
|
-9
|
-10
|
-12
|
-14
|
UЭБ (В)
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UКБ >0 В
|
IЭ (мА)
|
0
|
-1
|
-2
|
-3
|
-4
|
-5
|
-6
|
-7
|
-8
|
-9
|
-10
|
-12
|
-14
|
UЭБ (В)
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Do'stlaringiz bilan baham: |