Laboratoriya ishi elektronika va Sxemalar
Download 0.73 Mb. Pdf ko'rish
|
Lab-10 EvaS
- Bu sahifa navigatsiya:
- Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
- 1-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash
- 2- rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikasi
- Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) I
|
LABORATORIYA ISHI Elektronika va Sxemalar Jumayev Zamon
Аннотация 216-19-guruh 10-laboratoriya ishi
Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish. Variant №8 Bipolyar transistor bc846t R
=900Ω BC846T
1-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:
1- rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi 2- rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati
1-jadval U kb =0
I Eb (mA)
0 -1
-2 -3
-4 -5
-6 -7
-8 -9
-10 -12
-14 U Eb 0 -0,67 -0,7 0,72 -0,74 -0,75 -0,76 -0,77 -0,78 -0,79 -0,8 -0,82 -0,83 U kb =2 V
I Eb (mA)
0 -1
-2 -3
-4 -5
-6 -7
-8 -9
-10 -12
-14 U Eb 0 -0,63 -0,65 -0,68
-0,71 -0,73
-0,74 -0,76
-0,77 -0,78
-0,79 -0,8
-0,82
2-qism. Chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash: 3- rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning chiqish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati
2-jadval
I E = -4 m A I k ,(mA) 0 1 2 2,5 3 4 - - - - - - - U KB ,V -0,74 -0,73 -0,71 -0,69 -0,62 -0,6
I E = -8 m A
I k ,(mA
0 1 2 2,5 3 4 5 6 7
U KB ,V -0,78 -0,77 -0,76 -0,75 -0,74 -0,74 -0,72 -0,71 -0,68
I E = 12m A A I k ,(mA 0 1 2 2,5
3 4 5 6 7 8 9 10
11,9 U KB ,V 0 -0,81 -0,8 -0,79 -0,78 -0,78 -0,77 -0,76 -0,75 -0,73 -0,72 -0,7 -0,66
E =f(U EB ) bunda U KB =0 va 2 V.
K =f(U KB ) bunda I E =-4;-8 va -12mA 4. h parametrlarni hisoblash: 1. h 11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash: -16
-14 -12
-10 -8 -6 -4 -2 0 -0.9 -0.8
-0.7 -0.6
-0.5 -0.4
-0.3 -0.2
-0.1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 -1 -0.8 -0.6 -0.4
-0.2 0 Chart Title
ℎ 11𝐵 = ∆𝑈 𝐸𝐵 ∆𝐼 𝐸 , 𝑏𝑜 ′ 𝑙𝑔𝑎𝑛𝑖𝑑𝑎 𝑈 𝐾𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
Bu yerda ∆𝑈 𝐸𝐵 = ∆𝑈
𝐸𝐵.𝑀𝑎𝑥 − 𝑈
𝐸𝐵.𝑚𝑖𝑛 𝑣𝑎 ∆𝐼
𝐸 = 𝐼
𝐸𝑚𝑎𝑥 − 𝐼
𝐸.𝑚𝑖𝑛 ;
∆𝑈 𝐸𝐵 = −0,67 + 0,82 = 0,15𝑉 ∆𝐼 𝐸 = −2 + 10 = 8𝑚𝐴 ℎ 11𝐵 = ∆𝑈 𝐸𝐵 ∆𝐼 𝐸 = 0,15 8 ∙ 10
−3 = 15,75𝑂𝑚 2. h 12B parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash ℎ 12𝐵
= ∆𝑈 𝐸𝐵 , ∆𝑈 𝐾𝐵 , 𝑏𝑜 ′ 𝑙𝑔𝑎𝑛𝑖𝑑𝑎 𝐼 𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; 𝑏𝑢 𝑦𝑒𝑟𝑑𝑎 ∆𝑈 𝐸𝐵 = ∆𝑈 𝐸𝐵𝑚𝑎𝑥 − ∆𝑈
𝐸𝐵𝑚𝑖𝑛 𝑣𝑎 ∆𝑈
𝐾𝐵 = ∆𝑈
𝐾𝐵𝑚𝑎𝑥 − ∆𝑈
𝐾𝐵𝑚𝑖𝑛 ; ∆𝑈 𝐸𝐵 = −0,76 + 0,79 = 0,03𝑉 ∆𝑈 𝐾𝐵
ℎ 12𝐵
= ∆𝑈 𝐸𝐵 , ∆𝑈 𝐾𝐵 = 0,03
2 = 0,015
3. h 21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:
ℎ 21𝐵 = ∆𝐼 𝐾 ∆𝐼 𝐸 , 𝑏𝑜 ′ 𝑙𝑔𝑎𝑛𝑖𝑑𝑎 ∆𝑈 𝐾𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;
∆𝐼
= ∆𝐼 𝐾𝑚𝑎𝑥
− ∆𝐼 𝐾𝑚𝑖𝑛
= 11,9 − 4 = 7,9𝑚𝐴 ∆𝐼 𝐸 = ∆𝐼 𝐸𝑚𝑎𝑥
− ∆𝐼 𝐸𝑚𝑖𝑛
= −4 + 12 = 8𝑚𝐴
ℎ 21𝐵 = ∆𝐼 𝐾 ∆𝐼 𝐸 = 7,9
8 0,98
4. h 21B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash: h 22B ℎ 22𝐵 = ∆𝐼𝑘
∆𝑈 𝐾𝑏 , 𝐼 𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;
𝐼
= 8𝑚𝐴 ∆𝐼 𝐾 = 0,95𝑚𝐴 ∆𝑈 𝐾𝐵 = 4,42
ℎ 22𝐵 = ∆𝐼𝑘 ∆𝑈 𝐾𝑏 = 0,95 ∙ 10 −3 4,42 = 0,00021 Xulosa
Men bu laboratoriya ishini qilish jarayoida Bipolyar tranzistorning volt- amper xarektristakasini tadqiq qilishni o’rgandim.Birinchi qismda tok kuchini o;zgartirib Ueb ning qiymatlari hisoblandi.Natijalar asosida bog’lanish grafigi Excel dasturi yordamida chizildi.Bundan tashqari h parametrning qiymatlari hisoblab topildi.
Download 0.73 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|