Лабораторная работа №1 Исследование основные параметры и характеристики полупроводниковых диодов

Лабораторная работа № 2
Исследование статических характеристик и параметров
биполярных транзисторов с ОЭ –с ОБ

Цель работы: исследовать основные статические характеристики и параметры биполярных транзисторов, познакомиться с методикой измерения характеристик и обработкой экспериментальных данных.
1. Подготовка к лабораторной работе
Статическими характеристиками транзистора называются зависимость установившихся значений тока (напряжения) на выходе транзистора от задаваемых значений тока (напряжения) на входе. В схеме с общим эмиттером в качестве независимых переменных выбирают ток базы и напряжение коллектор-эмиттер , тогда:
(1)
В графической форме функции двух переменных изображают в виде семейств характеристик.
Семейство входных характеристик БТ показано на рис. 2.1. Каждая из характеристик представляет зависимость
, при (2)
(принято по оси абсцисс откладывать , а по оси ординат i_Б). Каждая из характеристик семейства снимается при постоянном напряжении коллектор-эмиттер (на рис. 1 ).
Семейство выходных характеристик
, при (3)
представлено на рис. 2 .
Область левее пунктирной линии соответствует режиму насыщения БТ, а правее - активному режиму.

Рис. 1 Рис. 2.
При работе с сигналами малой амплитуды нелинейные зависимости могут быть представлены следующими уравнениями:
, (4)
где , при - входное сопротивление
транзистора;
, при - дифференциальный
коэффициент передачи тока; (5)
, при - коэффициент обратной
связи по напряжению;
, при - выходная проводимость
транзистора;
h- параметры в соответствии с формулами (5) можно определить с помощью семейств характеристик (h₁₁ и h₁₂ - по семейству входных, а h₂₁ и h₂₂ - по семейству выходных характеристик).

2. Задание на выполнение лабораторной работы

2.1. Провести подготовку к эксперименту:
ознакомиться со структурой и предельными параметрами транзистора, данные транзистора занести в протокол; заготовить таблицы для измерений.
Таблица .1
Входные и управляющие характеристики

ЕБ	В
UБЭ	В
iБ	мкА
iK	мА

Таблица 2
Выходные характеристики транзистора

iБ, мкА
	UКЭ	В
	iK	мА
	UКЭ	В
	iK	мА
	UКЭ	В
	iK	мА
и т.д.

Собрать схему для измерений (рис. 3), схема цоколевки транзистора представлена на рис. 4. Сопротивление резистора R₁= (5–10) кOм.

Рис. 3.

Рис. 4.
2.2. Снять входную и управляющие характеристики транзистора при постоянном напряжении . Результаты измерений и расчетов занести в табл. 1.
2.3. Снять семейство выходных характеристик:
- семейство выходных характеристик снимать начиная от тока базы i_Б =50мкА и далее с шагом 50 мкА. Ток коллектора при этом не должен превышать допустимого значения;
- шаг изменения напряжения U_кэ должен быть выбран так, чтобы в активном режиме снять 3-5 точек и в режиме насыщения - 2-3 точки.
3. Обработка результатов эксперимента:
3.1. Построить на графиках входную и управляющую характеристики, а также семейство выходных характеристик.
В точке U_кэ =5 В, i_Б =100мкА определить параметры транзистора
, ,
3.2. Построить выходную характеристику при токе базы, равном 100 мкА.
4. Содержание отчета:
Отчет должен содержать:
- схемы измерений;
- таблицы и графики снятых зависимостей;
- результаты расчетов.

6 симуляторов работы электрических схем на русском