Лабораторная работа №11 Исследование статических вах бт в схеме включения с оэ

Лабораторная работа № 11

Исследование статических ВАХ БТ в схеме включения с ОЭ

Цель работы: Исследовать основные статические характеристики и параметры биполярных транзисторов в схеме включения с ОЭ, познакомиться с методикой измерения характеристик и обработкой экспериментальных данных.

1. Подготовка к лабораторной работе:

Статическими характеристиками транзистора называются связи между токами и напряжениями, представленные в графической форме. В схеме с общим эмиттером в качестве независимых переменных выбирают ток базы I_Б и напряжение коллектор-эмиттер U_КЭ, тогда:

(5.1)

В графической форме функции двух переменных изображают в виде семейств характеристик.

Семейство входных характеристик БТ показано на рис. 5.1. а, а семейство выходных характеристик – на рис. 5.1. б. Каждая из характеристик представляется зависимостью
, при (5.2)
, при (5.3)



Рис. 5.1.

При работе с сигналами малой амплитуды I_Бm , U_БЭm , I_Km , U_КЭm нелинейные зависимости (5.1–5.3) в окрестности произвольной рабочей точки, задаваемой значениями I_Б (0) и U_БЭ (0), могут быть линеаризированы, например с использованием h- параметров транзистора:

(5.4)

где , при

, при
, при (5.5)
, при


h - параметры в соответствии с формулами (4.5) можно определить с помощью семейств характеристик (h_11Э и h_12Э - по семейству входных, а h_21Э и h_22Э - по семейству выходных характеристик).
В практических расчетах часто используется и кусочно-линейная аппроксимация статических характеристик БТ см. рис.5.2.



а) б)
Рис. 5.2.
Для аппроксимированных входных характеристик имеем


(5.6)

а для выходных

(5.7)

В формулах 5.6 и 5.7

U_ПОР - пороговое напряжение эмиттерного перехода,
- усредненное входное сопротивление транзистора ( ),
- выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения (в начальной области).
, при и (5.8)
- усредненное выходное сопротивление транзистора в активном режиме.
при и 5.9)

2. Задание на выполнение лабораторной работы:

2.1. Провести подготовку к эксперименту:

Ознакомиться со структурой и предельными параметрами транзистора, данные транзистора занести в протокол; заготовить таблицы для измерений.
Таблица 5.1
Входные и управляющие характеристики

ЕБ	В
UБЭ	В
IБ	мкА
IK	мА

Таблица 5.2

Выходные характеристики транзистора