Лабораторная работа №11 Исследование статических вах бт в схеме включения с оэ

IБ, мкА
	UКЭ	В
	IK	мА
	UКЭ	В
	IK	мА
	UКЭ	В
	IK	мА
и т.д.

Собрать схему для измерений (рис. 5.2), схема цоколевки транзистора представлена на рис. 5.3. Сопротивление резистора R₁= (5–10 ) кOм и R₂= (510–1000 ) Oм.

Рис. 5.2.



Рис. 5.3.

2.2. Снять входную и управляющие характеристики транзистора при постоянном напряжении U_КЭ = 5 В. Результаты измерений и расчетов занести в табл. 5.1.

2.3. Снять семейство выходных характеристик:

Семейство выходных характеристик снимать начиная от тока базы I_Б =0мкА и далее с шагом 50 мкА. Ток коллектора при этом не должен превышать допустимого значения; шаг изменения напряжения U_КЭ должен быть выбран так, чтобы в активном режиме (U_КЭ>U_БЭ) снять 3-5 точек и в режиме насыщения (U_КЭ<U_БЭ) - 2-3 точки.

3. Обработка результатов эксперимента:

3.1. Построить на графиках входную и управляющую характеристики, а также семейство выходных характеристик.

В точке U_КЭ =5 В, I_Б =100мкА определить параметры транзистора


, ,

3.2. Построить выходную характеристику при токе базы, равном 100 мкА. Провести ее линейно-кусочную аппроксимацию и определить U_КЭ.НАС , I_К.НАС, r_К.НАС , r_К..

4. Содержание отчета:

1. схемы измерений;

2. таблицы и графики снятых зависимостей;
3. результаты расчетов.

5. Контрольные вопросы.

1. Поясните принцип работы БТ в схеме включения с ОЭ, функции эмиттерного и коллекторного р-n перехода, области базы.

2. Назовите составляющие тока эмиттера и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
3. Назовите составляющие тока базы и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
4. Что такое токи I_КБ0 и I_КЭ0 ? Движением каких носителей они определяются?
5. Укажите на семейство выходных характеристик БТ в схеме ОБ активную область, области отсечки и насыщения.
6. Нарисуйте идеализированную электрическую модель БТ и объясните физическую смысл его параметров.
7. Что такое инверсный режим БТ ?