Mannobjonova Yoquthon

Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot texnologiyalari Universiteti Farg’ona filiali Komputer inginiring fakulteti Kompyuter inginiring yo’nalishi 716-21guruh talabasi
Mannobjonova Yoquthon
Raqamli qurilmalarni loyihalash
FANIDAN

YARIM OʻTKAZGICHLI

XOTIRA QURILMALARI
REJA:

Yarim oʻtkazgichli xotira qurilmalari haqida umumiy ma’lumot;

Manzilli xotira qurilmalarining strukturasi (https://fayllar.org/hisoblash-texnikasi-va-uning-strukturasi-qurilmaviy-taminoti-v4.html);

Xotira qurilmalarini xotirasini oshirish.

Zamonaviy elektronika qurilmalari yarim oʻtkazgichli materiallardan tayyorlanadi. Yarim oʻtkazichlar kristall, amorf va suyuq boʻladi. Yarim oʻtkazgichli texnikada asosan kristall yarim oʻtkazgichlar (1010 asosiy modda tarkibida bir atomdan ortiq boʻlmagan kiritma monokristallari) qoʻllaniladi. Odatda yarim oʻtkazgichlarga solishtirma elektr oʻtkazuvchanligi σ metallar va dielektriklar oraligʻida boʻlgan yarim oʻtkazgichlar kiradi (ularning nomi ham shundan kelib chiqadi). Xona temperaturasida ularning solishtirma elektr oʻtkazuvchanligi 10-8dan 105gacha Sm/m (metrga Simens)ni tashkil etadi. Metallarda σ=106-108 Sm/m, dielektriklarda esa σ=10-8-10-13 Sm/m. Yarim oʻtkazgichlarning asosiy xususiyati shundaki, temperatura ortgan sari ularning solishtirma elektr oʻtkazuchanligi ham ortib boradi (https://fayllar.org/xulosa-ishchilar-sonini-ortirsak-yalpi-mahsulot-miqdori-ham-or.html), metallarda esa kamayadi. Yarim oʻtkazgichlarning elektr oʻtkazuvchanligi yorugʻlik bilan nurlantirish va hatto juda kichik kiritma miqdoriga bogʻliq. Yarim oʻtkazgichlarning xossalari qattiq jism zona nazariyasi bilan tushuntiriladi.

Har bir qattiq jism koʻp sonli bir-biri bilan kuchli oʻzaro taʻsirlashayotgan atomlardan tarkib topgan. Shu sababli bir boʻlak qattiq jism tarkibidagi atomlar majmuasi yagona tuzilma deb qaraladi. Qattiq jismda atomlar bogʻliqligi atomning tashqi qobigʻidagi elektronlarni juft boʻlib birlashishlari (valent elektronlar) natijasida yuzaga keladi. Bunday bogʻlanish kovalent bogʻlanish deb ataladi.
Atomdagi biror elektron kabi valent elektron energiyasi W ham diskret yoki kvantlangan boʻladi, yaʻni elektron energetik sath deb ataluvchi biror ruxsat etilgan energiya qiymatiga ega boʻladi. Energetik sathlar elektronlar uchun taʻqiqlangan energiyalar bilan ajratilgan. Ular taʻqiqlangan zonalar deb ataladi. Qattiq jismlarda qoʻshni elektronlar bir-biriga juda yaqin joylashganligi uchun (https://fayllar.org/ozbkiston-respublikasi-oliy-talim-fan-va-innoatsiyalar-vazirli.html), energetik sathlarni siljishi va ajralishiga olib keladi va natijada ruxsat etilgan energetik zonalar yuzaga keladi. Energetik zonada ruxsat etilgan sathlar soni kristaldagi atomlar soniga teng boʻladi. Ruxsat etilgan zonalar kengligi odatda bir necha elektron – voltga teng (elektron – volt – bu 1V ga teng boʻlgan potensiallar farqini yengib oʻtgan elektronning olgan energiyasi). Ruxsat etilgan zonadagi minimal energiya sathi tubi (Wc), maksimal energiya esa shipi (Wv) deb ataladi.
1.1-rasmda yarim oʻtkazgichning zona diagrammasi keltirilgan. Taʻqiqlangan zona kengligi ΔWt yarim oʻtkazgichning asosiy parametri boʻlib hisoblanadi.
Elektronikada keng qoʻllaniladigan yarim oʻtkazgichlarning taʻqiqlangan zona kengliklari ΔWt (eV) quyidagiga teng: germaniy uchun – 0,67, kremniy uchun – 1,12 va galliy arsenidi uchun -1,38.
Dielektriklarda taʻqiqlangan zona kengligi ΔWt≥2 eV, metallarda esa ruxsat etilgan zonalar bir – biriga kirib ketgan boʻladi, yaʻni mavjud emas.
Yuqoridagi ruxsat etilgan zona oʻtkazuvchanlik zonasi deb ataladi, yaʻni mos energiyaga ega boʻlgan elektronlar (https://fayllar.org/mavzu-jismlarning-muhim-kvantomexanik-xarakteristiki-3d--elekt.html), tashqi elektr maydoni taʻsirida yarim oʻtkazgich hajmida harakatlanishlari mumkin, bunda ular elektr oʻtkazuvchanlik yuzaga keltiradilar. Oʻtkazuvchanlik zonasidagi biror energiyaga mos keladigan elektronlar oʻtkazuvchanlik elektronlari yoki erkin zaryad tashuvchilar deb ataladilar. Quyidagi ruxsat etilgan zona valent zona deb ataladi.
Absolyut nol temperaturada (0 K) yarim oʻtkazgichning valent zonasidagi barcha sathlar elektronlar bilan toʻlgan, oʻtkazuvchanlik zonasidagi sathlar esa elektronlardan xoli boʻladi.

Manzilli xotira qurilmalarining strukturasi. Ketma ket kirishga ega boʻlgan xotira qurilmalarining strukturasi.

Xulosa;
Men Mannobjonova Yoquthon raqamli qurilmalarni loyihalash fanidan tayorlagan mustaqil ishimdan juda kop malumotga ega boldim.