Mantiqiy integral sxemalar negiz elementlari

O‘rtacha kirish toki I_KIR.O‘RT VA DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·10³ nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi R_G orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. K_U.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi R_K yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada R_K qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati VA ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun, R_K rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar YOKI maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.

7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi.

BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada R_K o‘rniga R_DIF qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi R_Yu bilan aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada R_K o‘rniga R_Yu qo‘yilishi kerak.

DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni kuchaytirish koeffitsiyentidan, sinfaz tashkil etuvchini so‘ndirish koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari VA kiradi.
Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi R_Yu e’tiborga olin-maganda DKning chiqish qarshiligi
.
Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma-ket ulangan bo‘ladi. R_E=0 bo‘lganda:


.
β = 100, r_E = 250 Om va r_B = 150 Om bo‘lsin, bunda R_KIR = 5,35 kOm bo‘ladi.
β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga I_B0 bog‘liq. Shuning uchun kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi (7.4-rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
.
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
.
bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib:
.

7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi.

Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye₀ – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I₀ tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi. Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi.

67 – rasm.