Mashinasozlik

6-rasm. Val bo’yinlarini plazma yoyi yordamida kombinatsiyalashgan usulida 

qoplash sxemasi. 

1-val; 2-qoplama sim; 3-mundshtuk; 4-sim uzatish mexanizmi; 5-dozator;  

6-xlorvinilli kukun uzatgich; 7-volfram elektrod; 8-soplo-anod; 9-plazmatronning 

himoyalovchi soplosi; RB1 va RB2 - ballast reostatlari; K1,K2,K3,K4 - kontaktli 

elektr uzgichlar. 

 

---

24 

Avvalo volfram elektrodi 7, suv bilan sovitiladigan anod-soplosi 8, orasida 

birlamchi  (navbatchi)  yoy  hosil  qilinadi.  Uzatuvchi  mexanizm  4  mundshuk  3 

orqali qoplama sim 2 uzatiladi. Bir biri bilan navbatchi yoy to’qnashish natijasida 

bog’langan yoy hosil bo’ladi. Ushbu yoylar tiklanadigan detalning yuzasi 1 ni  va 

qoplama  materiallarni  eritishni  boshlaydi.  Kukun  materiali  dozator  5  dan 

xlorvinilli  kukun  uzatkich  6  orqali  yo’naltiruvchi  gaz  yordamida  payvandlash 

yuzasiga yetkazib beradi. 

Payvandlash  tokini  sim  bilan  detal  orasida  ballast  reostatlar  yordamida 

taqsimlash  mumkin.  Payvandlash  tokni  taqsimlashdan  maqsad  eritilgan  qoplama 

material 

bilan 

tiklanadigan 

detalning 

eritilgan 

yuzasidagi 

qatlamni 

chuqurlashishini oldini olish.  

 Plazma  yoyi  yordamida  kombinatsiyalashgan  qoplash  usulida  quyidagi 

yutuqlarga erishish mumkin:  

•  ish unumdorligi  faqat kukun yoki sim bilan qoplash usuliga nisbatan 30% gacha 

tashqariga yoyning issiqligini yoyilib ketishi hisobiga va tiklanadigan detalning 

yuzasini qizib ketishini kamaytirish hisobiga ortadi;  

•  himoyalovchi  va  plazma  tashkil  etuvchi  gaz  miqdorining  sarfi  50%  gacha 

kamayadi; 

•  payvand  chokidagi  qoplama  materialning  tarkibini  yuqoridagi  usulni  amalga 

oshirish jaryonida  keraklicha o’zgartirish mumkin [10].