186
Bu holat bitta valentli elektron defitsitiga yoki aralashmali atom
bilan bog‘langan teshikning yuzaga kelishiga olib keladi;
b –elektr
maydoni ta’sirida teshikning surilishi.
Yarimo‘tkazgich materiallarga nisbiy qarshiligi r=10-
3
-10-
10
Om*sm bo‘lgan materiallar kiradi. Bunga Mendeleyev davriy siste-
masidagi 12 element kiradi: bor, uglerod (olmos), kremniy, germaniy,
qo‘rg‘oshin(Sn
0
), fosfor, mishyak, surma, oltingugurt, selen, tellur,
yod.
Bundan tashqari, bir qancha kimyoviy birikmalar ham kiradi.
Eng ko‘p tarqalgani germaniy(Ge) va kremniy(Si) hisoblanadi.
Yarimo‘tkazgichlarda tokni paydo bo‘lishi uchun valent zonasida-
gi elektronlarning bir qismi tok o‘tkazish zonasiga o‘tib
elektr zary-
adini tashuvchisiga aylangan bo‘ladi.
10.14-rasm. Turli xil sohalarida foydalaniladigan
yarimo‘tkazgichlar.
Elektronlar bir zonadan ikkinchisiga o‘tish
uchun ruxsat etil-
maganman etilgan energiya zonasidan o‘tishi kerak.
Buning uchun ma’lum energiya kerak. Bu tashqi energiya yorug‘lik
yoki issiqlik energiyasi bo‘lishi mumkin.
Qizdirilganda elektr tokini
tashuvchilar “konsentratsiya”si ko‘payadi va yarimo‘kazgichning
elektr qarshiligi kamayadi. Wo qancha ko‘pkeng katta bo‘lsa, shun-
cha ko‘p qizdirish kerak.
O‘tkazuvchanlikka tok tashuvchilarning
harakatchanligi ham
ta’sir qiladi. Kristallik panjaraning nuqsonlari buni pasaytiradi (de-
mak, o‘tkazuvchanlikni ham). Xuddi shunday ta’sir qiladi tashuvchi-
larning “hayot davri” ham.
187
Shuning uchun, kristallik panjaralari nuqsonsiz yarim o‘tkaz
gichlarmonokristallar ishlatiladi. Yuqori sifatli asboblar (“pribor”)
germaniy va kremniy monokristallaridan yasaladi.
Toza yarimo‘tkazgichlardan tashqari murakkab yarimo‘tkazgich
birikmalar ham ishlatiladi. Mendeleyev sistemasidagi A
4
V
4
, uchinchi
va beshinchi A
3
V
5
va A
2
V
4
A
4
V
4
tipdagi birikma vakili SiC, A
3
V
5
vakili
ZnSb va GaAs (galiyarsenidi), A
2
V
4
bular sulfidlar (ZnSe), oksidlar
(Cu
2
O).
Do'stlaringiz bilan baham: