Mavzu: Bipolyar ims topologiyasini loyihalash bo’yicha Kurs loyihasini bajarishga metodik ko’rsatma

Mavzu: Bipolyar IMS topologiyasini loyihalash bo’yicha Kurs loyihasini bajarishga metodik ko’rsatma.
5 - Variant
Kirish

Kurs loyihasining maqsadi talabalarning Integral sxemalarni loyihalash va konstruksiyalash fani bo’yicha bilimlarini mustahkamlashga qaratilgan.

Kurs loyihasi ikkita asosiy qism va ilovalardan iborat. Birinchi qismda ushbu IMSni tashkil etuvchi faol va passiv elementlarning hisob-kitoblari bo'lishi kerak. Ikkinchi qism - IMS eskizini ishlab chiqish, IMS topologiyasining eng maqbul variantini loyihalash va IMS uchun korpusni tanlash. Ilovada kurs loyihasi bo'yicha 25 ta vazifa mavjud bo'lib, ular bipolyar tranzistorlarda, shu jumladan Shoottki diodlari va tranzistorlarida turli xil elektron sxemalarini aks ettiradi.
Ushbu sxemani nuqtai nazaridan tahlil qilib funksionallik, quvvat iste'moli, passiv elementlarning nominal qiymatlari, ruxsat etiladigan nominal qiymatlari va boshqalar, talaba IMSni ishlab chiqarish usulini, elementlarning izolyatsiyasi turini, elementlarning topologiyasini tanlashi va IMSning topologik rasmini yaratishi kerak.
Barcha IMSlarni loyihalashda asosiy talab bu IMS elementlarining minimal o'lchamlaridan foydalanish, ular orasidagi masofa, o'tkazgichlarning uzunligini, ularning egilish va kesishmalar sonini kamaytirish mumkin. Metodik ko'rsatma o'z ichiga oddiy IMSlarning o'ttiztagacha elementlarni loyihalashni olgan. Shuning uchun sxemalarni loyihalashtirish misolida, ya'ni, teskari tomonli p-n birikmasi planar epitaksial izolyatsiya texnologiyasi bo’yicha kremniy IMSni loyihalash kurs loyihasi berilgan.


Integral mikrosxema (IMS) haqida umumiy malumotlar

Integralmikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi ҳisoblanadilar.

Integral mikrosxema (IMS) elektr jiҳatdan o’zaro boғlangan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)majmui bo’lib, yagona texnologik tsiklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)damalum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi.
IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, ҳisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ҳam bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yiғish talab qilinardi.
IMSlar uchun ikki asosiy belgimavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jiҳatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo’lib, yagona ҳisoblanadi. IMS elementlarining ҳammasi yoki bir qismi va elementlararo boғlanishlar yagona texnologik tsiklda bajariladi. SHu sababli integralmirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.
Ҳozirgi kunda yasalish turi va ҳosil bo’ladigan tuzilmaga ko’ra IMSlarning uchta printsipial turimavjud: yarim o’tkazgichli, pardali va gibrid. Ҳar bir IMS turi konstruktsiyasi,mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funktsiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruktsiyada yasaladi.