Ma’vzu: Differensial kuchaytirgich,dk asosiy parametrlari

DK ning asosiy parametrlari.

• Demak, kollektor potensiallari tengligicha qoladi, chiqish kuchlanishi esa. Bu deganiki, idel DK sinfaz kirish signallariga sezirsiz.
• Agar kirish signallari amplitudasi boyicha bir xil, lekin fazalari qarama qarshi bolsa, u holda ulardifferensialdeb ataladi. Differensial signal tasiri natijasida bir yelkadagi tok ikkinchi yelkadagi tok kamayishi hisobiga ortadi, chunki toklar yigindisi doim. Bir tranzistorkollektori potensiali kamayadi, ikkinchisiniki esa xuddi shu qiymatga kamayadi. DK chiqishida potensillar farqi hosil boladi, demak, chiqish kuchlanishi.
• Umumiy emitter ulanish sxemasida ishlaydigan kuchaytirgich tahlili natijalaridan foydalangan holda, differensial signal (simmetrik kirish va chiqishga ega bolgan) ning kuchaytirish koeffisienti qiymatini olamiz Ideal DKlarda sinfaz signallarni sondirish natijasida nol dreyfi mavjud bolmaydi. Turli temperatura ozgarishlari, shovqinlar va navodkalar sinfaz signal bolishi mumkin. Real

DKlarda yelkalarning absolyut simmteriyasiga erishish mukin emas, shuning uchun nol dreyfi mavjud bolib, u juda kichik qiymatga ega boladi. Differensial kirishda, yani kirish simmetrik bolganda, DK kirish qarshiligi sxemaning chap va ong yelkalari kirish qarshiliklari yigindisigateng boladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma ket ulanadi. Shunday qilib,, bu yerda- UE sxemasida ulangan tranzistorning kirish qarshiligi.kattaligi tranzistorning sokinlik toki Ib ga bogliq boladi. Shuning uchun kirish signalini oshirish uchun kuchaytirgichni kichik toklar rejimida ishlatish kerak.

DKlarda yelkalarning absolyut simmteriyasiga erishish mukin emas, shuning uchun nol dreyfi mavjud bolib, u juda kichik qiymatga ega boladi. Differensial kirishda, yani kirish simmetrik bolganda, DK kirish qarshiligi sxemaning chap va ong yelkalari kirish qarshiliklari yigindisigateng boladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma ket ulanadi. Shunday qilib,, bu yerda- UE sxemasida ulangan tranzistorning kirish qarshiligi.kattaligi tranzistorning sokinlik toki Ib ga bogliq boladi. Shuning uchun kirish signalini oshirish uchun kuchaytirgichni kichik toklar rejimida ishlatish kerak.