Mavzu: Murakkab invertorli tranzistor-tranzistorli mantiq. Bajardi: Razzoqov. M. Tekshirdi: Yusupov. A

K _TARM =I _Kmax /I_kir
deb yozish mumkin. Bu yerda I°_kjr — IMS m a’lum otnom asidan olinadigan param etr. I_Kmax = E_M/R4 = 30 mA bo‘lgani sababli, I°_kir = 1,35 mA bo‘lganda = K _TARM =22. Xulosa qilib shuni aytish mumkin-ki, 3-rasmda kirish zanjirida punktir bilan tasvirlangan diodlar aks-sadoga qarshi diodlar deb ataladi va muvoflqlashmagan Iiniya oxirlaridan qaytgan manfiy signallar (xalaqitlar) amplitudasini cheklash uchun qo‘llaniladi. Bu signallar ikkita p-n o ‘tish (diodning p-n o ‘tishi va KET em itter o ‘tishi) oralig‘ida bo‘linib, MEni yolg‘on qayta ulanishdan saqlaydi.
Hozirgi vaqtda TTM negiz elementlarining ko‘p sonli modifikatsiyalari yaratilgan. Har bir modifikatsiya param etrlari yoki qo‘shimcha imkoniyatlari bilan ajralib turadi. Masalan, chiqish kaskadida tok bo‘yicha katta kuchaytirish koeffitsientiga ega bo‘lgan tarkibiy tranzistorlar q o ‘llanishi yuklama qobiliyatini oshiradi (4, a-rasm ). Sxem aning ishlash prinsipi o ‘zgarmaydi. Tarkibiy tranzistor (VT4 va VT2 tranzistorlar) VT3 invertorning dinam ik yuklamasini hosil qiladi. M asalaning bunday yechilishi barcha rezistorlar nominallarini ikki barobar kichraytirishga va bu bilan tezkorlik va yuklama qobiliyatini oshirishga im kon beradi. A va В nuqtalar oralig‘ida ikkita ketma-ket ulangan tranzistorlarning p-n o ‘tishlarining mavjudligi esa VD diod bo‘lishini talab qilmaydi. Shottki diodi va tranzistorlarini qo‘llash yordam ida (4, b-rasm) TTM elem entining tezkorligi oshirilgan (TTM SH ). Ular tranzistor bazasida ortiqcha zaryadlarni chiqarib yuborish vaqtini sezilarli kamaytirish yoki um um an yo‘qotishga imkon beradilar. Natijada impuls kamayib borish vaqtidagi kechikish kamayadi. Lekin tezkorlik ortishi bilan TTM SH statik parametrlari yomonlashadi. Xususan, bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymati kamayadi va U°_CHIQ ortadi, bu esa o ‘z navbatida oddiy sxemalarga nisbatan xalaqitbardoshlikni pasaytiradi. TTMSH KISlarning negiz elem enti hisoblanadi. Ikki yo‘nalishli axborot shinalari yoki m agistral qurilm alar yaratishda, bir necha sxema chiqishlarini birlashtirish talab qilinadi. Agar elem entlar ulanayotganda, ulardan birining chiqishida past U°_CHIQ sath, ikkinchisida esa yuqori U'_CHIQ sath bo‘lsa, u holda ketma-ket ulangan VT2 va VT3 tranzisto rlardan biridan sizilish toki I_SIZ=( E_M –U*) /R4 oqib o‘tadi. Bu tok statik rejimdagi manba tokidan ancha katta. Bu vaqtda iste’mol qilinayotgan quwat keskin ortadi va sxema ishdan chiqishi mumkin, chunki VT2, VT3 tranzistorlar va VD diod uzoq muddat katta tok oqib o'tishiga mo‘ljallanmagan. Bu holat yuzaga kelmasligi uchun chiqishi uchta holatga ega bo‘lgan: ikki holat — bu oddiy U_CHIQ = U^{0 va} U_CHIQ= U' sathlar, uchinchisi esa— element yuklamadan butkul uziladigan “cheksiz katta ” chiqish qarshiligi holatini ta ’minlaydi, ya’ni tok iste’mol qilm aydigan va uzatmaydigan TTM elem entlar yaratilgan

4-rasm TTM MEning turli sxema variantlari
Buning uchun murakkab invertorli sxemaga qo‘shim cha VT4 tranzistor va R5 rezistor ulanadi (.4, d-rasm). Boshqaruvchi kirish
Z ga U°_KIR kuchlanish berilsa, VT4 tranzistor berk bo‘lib, sxema oddiy element kabi ishlaydi. Boshqaruvchi kirish Z ga U'_KlRkuchlanish berilsa, VT4 tranzistor to ‘yinish rejimiga o ‘tadi, VT1, VT2 va VT3 tranzistorlar esa berkiladi (uchinchi holat). Bu uchinchi holat m antiqiy kirishlardagi axborot signallari kombinatsiyasiga bog‘liq emas. Bunday elem entlar chiqishlarini umumiy yuklamaga ulash mumkin, chunki ixtiyoriy vaqt momentida yuklamaga faqat bitta elem ent “xizmat ko'rsatadi” , qolganelementlar esa uchinchi holatda bo‘ladi. TTM ning boshqa seriyalari tarkibida maxsus elem entlar bo‘lishi mumkin. Ular bu seriya imkoniyatlarini oshirish uchun moMjallangan. Ulardan birini ko‘rib chiqamiz. Ochiq kollektorli HAM-EMAS elementi. Bu sxem a m antiqiy sxemalami tashqi va indikatorli qurilmalar, masalan, nurlanuvchi diodli indikator, cho‘lg‘anuvchi lampalar, rele o‘ramlari va h.k. bilan muvofiqlashtirishga m o‘ljallangan. Bu sxemaning yuqorida ko‘rib o ‘tilgan elementdan (3-rasm) farqi shundaki, chiqish kaskadi yuklama rezistorisiz bir taktli sxemada bajarilgan. 12.4, e-rasm da ochiq kollektorli HAM -EMAS M E da indikatsiya elementi sifatida cho‘g‘lanuvchi lampa (CHL ) qo ‘llanilgan sxema ko‘rsatilgan. CHL VT2 tranzistorning kollektor zanjiridagi yuklama hisoblanadi va m antiqiy holatlarning vizual indikatori sifatida xizmat qiladi. Agar barcha kirishlarga W sath berilsa, indikator nurlanadi, agar bir yoki bir nechta kirishga Un sath berilsa, indikator nurlanmaydi. Shuntlovchi R4 rezistor VT2 tranzistorni him oyalaydi, aks holda cho‘lg‘am simining qarshiligi sovuq holatda kichik b o ‘ladi va kollektor tokining ortishi kuzatiladi. M a’lumot. Sanoatda TTM turli elem entlam ing faqat bir necha seriyasi ishlab chiqariladi (standart 133, 155; tezkorligi yuqori bo‘lgan 130, K131; mikro quwatli 134; Shottki diodli 530, K531; Shottki diodli mikro quwatli K555). Bu elementlam ing asosiy parametrlari 12.1-jadvalda keltirilgan.

TTM elementlari potensial elem entlar qatoriga kiradi: ular asosida kompyuter sxemalarini tuzishda ular o ‘zaro galvanik bog‘lanadilar, ya’ni kondensator va transformatorlarsiz. Mantiqiy 1 va mantiqiy 0 asim ptotik qiym atlari U¹>2,4 V; U⁰<4 V, U_QU= U¹ — U° = 2 V kuchlanishlar bilan ifodalanadi. Yuqorida ko‘rib o ‘tilgan seriyalar funksional va texnik to ‘liqlikka ega, ya’ni turli arifmetik va mantiqiy amallami, xotirada saqlash, yordamchi va maxsus funksiyalami bajaradi. Asosiy TTM turi bo'lib mantiqiy ko‘paytirish inkori bilan ya’ni, HAM-EMAS amalini bajaradigan ShefTer elementi hisoblanadi. Sheffer elementining shartli belgilanishi 5-rasmda ko‘rsatilgan. Bu yerda XI, X2 — kirishlar, Y — chiqish. Minimal kirishlar soni nolga teng. Ikki kirishli Sheffer elementining ishlashi haqiqiylikjadvalida keltirilgan (2-jadval).

5-rasm.Ikki kirishli Sheffer elementi shartli belgisi

Ikki kirishli Sheffer elementining haqiqiylik jadvali

XULOSA.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR.

1. 
   Elektronika: darslik/X .K .A ripov, A. M .Abdullayev, X .X .B Ustanov.
   
2.