Maydon tranzistorlini kalit sifatida qo’llanilishi Tajriba maqsadi

Maydon tranzistorlini kalit sifatida qo’llanilishi
1. Tajriba maqsadi: 1). Maydonli tranzistorlarni ulashning asosiy sxemalarini o’rganish. 2). Kuchaytirish koeffitsiyentini aniqlash
2. Qisqacha nazariy ma’lumotlar
Maydon tranzistorlar p-n bilan boshqariluvchi va MDYA strukturali (metall – dielektrik – yarimo’tkazgichli) turlarga bo’linadi. Kanali kiritilgan maydon tranzistorlar asosini p- turdagi yarimo’tkazgich taglik xizmat qiladi (1- a rasm). Taglikni yuqori qismida n- turdagi yarimo’tkazgich kanal va ikkita o’tkazuvchanligi yuqori bo’lgan n- tur hosil qilingan. Ulardan tok olish uchun metal kontaktlar “istok” I , “stok” S hosil qilingan. Kiritilgan kanal dielektrik bilan qoplangan va uni sirtiga yasi metal elektrod – “zatvor” Z hosil qilingan.
Kanali kiritilgan MDYA strukturali maydon tranzistorini ishlashini ko’ramiz. Zatvorga musbat kuchlanish berilsa n- kanal elektronlar bilan boyiydi va uni qarshiligi kamayadi. Agarda zatvorga manfiy kuchlanish berilsa , unda elektronlar qochadi va n – kanal kambag’lashadi. Uni o’tkazuvchanligi keskin kamayadi, qarshilik oshadi, istok va stok orasidagi tok kamayadi. Zatvorda kuchlanishni tekis o’zgarishi istok va stok orasidagi tokni asta sekin chiziqli o’zgarishiga olib keladi.
Kanalli kiritilmagan MDYA transistori xuddi kanalli kiritilgan maydon tranzistorga o’xshab islaydi biroq ma’lum xususiyatga ega (1- b rasm). Kovak o’tkazuvchanlik p – turdagi yarimo’tkazgichda hosil qilingan n⁺ - sohalar bilan ajratilgan zatvorda nul kuchlanishda istok va stok oraligidan tok oqmaydi.

1-rasm.Kanali kiritilgan (a) va induksiya kanali (b) MDYA strukturali yarimo’tkazgichli maydon tranzistorlar.
Zatvorga musbat kuchlanish berilganda zatvor osti sohasiga elektronlar tortiladi va “kovaklar”uzoqlashadi. Sirt qatlamida elektronlar konsentrasiyasi oshadi, va yarimo’tkazgich o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi. Shuday qilib, unda otkazuvchanlik kanali (induksiyalanadi) vujudga keladi. Kanali kiritilgan tranzistordan farqli , bu transistor zatvorga faqat musbat kuchlanish berilganda tok o’tkazadi(ochiladi). Bu xususiyat kalitli impulsli sxemalar uchun yaxshi, bu qayerda “ulangan” va “uzilgan” aniq bo’lgan holatlar uchun ahamiyatli bo’lgan joylarda.
Maydon tranzistorlarni kalit ishlashida ichki qarshiligini katta bo’lganligi, ular tok bilab emas, kuchlanish U_s boshqariladi (2- a rasm).Bunday kalitlar kata kuchaytirish koeffisientiga ega va bir kaskadli kuchlanish kuchaytigichlar sifatida foydalanish mumkin.
Ko’pincha kalit elementi sifatida induksion kanalli MDYA tranzistorlaridan foydalaniladi. Qo’shqutibli tranzistorli kalitlarga nisbatan bir qancha afzalliklarga: yuqori kirsh qarshilikka,kichik tokka, yaxshi chastota xarakteristikaga, radiasiyaga chidamlikka ega.

2–rasm.Maydon tranzistorli tranzistorli kalitni elektr sxemasi (a), uni VAX si oilasi (b) va kuchlanish epyuralari(c).
Vol’t – amper xarakteristikalar oilasidan zatvordagi boshqaruchi kuchlanishni turli U_s qiymatlarida stok toki uchun otsechka rejim A nuqta bilan belgilangan, kritik rejim – B nuqta bilan(2 – rasm). Kritik rejimda va to’yinish rejimida kirish va signallari orasidagi bog;lanish yoqoladi, yani VAX chiziqli qismida MDYA transistor kuchaytirish xususiyatiyatini yo’qotadi. Stok zanjirida resistor shunday tanlanadiki, ishchi nuqta B chiqish xarakteristikalarining burilish qismida bo’lish kerak. Bu holatda qoldiq kuchlanish kichik bo’ladi, ta’minot manbaidan foydalanish koeffisienti – maksimal. 
Kirish signali bo’lmaganda zatvor va stok orasidagi kuchlanish nolga teng bo’ladi. Bunda tranzistor to’la yopiq va stokda kuchlanish – E_C ga teng.
Agarda kirishga (zatvorga) kuchlanishi – 5 V mahfiy kirish kuchlanish berilsa , tranzistor ochiladi (2- v rasm). MDYA tranzistor ichki qarshlikni tushushi bilan bog’liq bo’lgan musbat kuchlanishni – E_S dan nulgacha oshishidan kalit chiqishida impuls paydo bo’ladi. Impuls tugagandan so’hg tranzistor yana yopiladi, kalit avvalgi holatga o’tadi.
Impuls frontini kechikishi va pasyishi montaj, nagruzka parazit sig’mlari va tranzistorni elektrodlari va p-n o’tish sig’imlari tasiri natijasida yuz beradi. Impuls front davomiyligi va kesikni oshishi montaj, nagruzka parazit sig’mlari va tranzistorni elektrodlari va p-n o’tish sig’imlari tasiri natijasida yuz beradi.
Maydon tranzistorlar asosidagi kalitli va kuchaytiruvchi kaskadlar sxemalarni soddalashtiradi va mustaxkamligini oshiradi. Shuni esdan chiqarmaslik keraki, maydon tranzistorlari yuqori kirish qarshiligiga ega va zatvorga berilayotgan kuchlanish bilan boshqariladi, oddiy tranzistorlarga o’hshab , tok bilan emas.