Maydoniy tranzistorlar

Ma’ruza № 3
MAYDONIY TRANZISTORLAR

Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta’sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo‘tkazgich asbob maydoniy tranzistor (MT) deyiladi. MTlarda tok hosil bo‘lishida faqat bir turli– asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda, BTlardagi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to‘planish jarayonlari mavjud emas.

MTlarda tok bo'ylama elektr maydon ta’sirida erkin zaryad tashuvchilaming dreyf harakati tufayli hosil bo‘ladi. Tok hosil qiluvchi o‘tkazgich qatlam kanal deb ataladi va u n – kanalli va p – kanalli bo‘lishi mumkin. Kanal chekkalariga elek-trodlar o‘rnatilgan bo‘lib, ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. Elek-trodlardan qay biri istok, qaysinisi stok deb olinishining ahamiyati yo‘q. Zaryad tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o‘sha elektrod istok deb, zaryad tashuvchilarni kanaldan o‘ziga qabul qiluvchi elektrod esa stok deb belgilanadi. Uchinchi elektrod – zatvor yordamida kanaldagi tok qiymati ko‘ndalang elektr maydon bilan boshqariladi.
Tuzilmasi va kanal sohasi o‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga ko‘ra MTlar-ning bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
1. Zatvori izolatsiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa die-lektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall – dielektrik – yarimo'tkazgich (MDY) tuzilmaga egaligi sababli MDY – transistor deb ham ataladi. Uning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo’lib, birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa – kanal sohasi zatvorga ma’lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo‘ladi (induksiya-lanadi). Ko‘ndalang elektr maydon yupqa dielektrik orqali o'tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.
2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarimo‘tkazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi yarimo‘tkazgichning kambag'allashgan sohasi qalinligini o‘zgartirib, tok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad ta-shuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.
3. p – n oltish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o’tkazuv-chanligiga nisbatan teskari o’tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgichdan foydalani-ladi. Natijada ular orasida p – n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p – n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p–n o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘ndalang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada kanaldagi tok qiymati o‘zgaradi. p – n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligining o’zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlaming asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p–n o‘tishdan foydaianadigan MTlami o‘rganamiz.
Elektr sxemalarda MTning zatvori kirish elektrodi bo‘lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p–n o‘tish yoki dielektrik bilan izolatsiyalanadi. Shuning uchun MTlar BTlardan farqli ravishda o'zgarmas tokda katta kirish qarshiligiga (10⁸ – 10¹⁰ Om) ega.
MDY – tranzistorlar integral mikrosxemalarning, ayniqsa 0‘KISlarning asosiy elementini tashkil etadi. Ular mikroprotsessorlar, mikrokontrollerlar, axborot sig‘i-mi katta xotira qurilmalari, electron soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilmalari va boshqalarda qo‘llaniladi. Katta quvvatli MDY–tranzistor qayta ulovchi sxemalarda keng qo‘llaniladi. Boshqaruvchi elektrodi metall-yarim o‘tkazgich o'tishdan tashkil topgan arsenid galliy (GaAs) asosida tayyorlangan tranzistorlar o‘ta tez ishlovchi raqamli IMSlarni va 0‘YCHli qurilmalarni yaratish uchun ishlatiladi. Kremniy asosidagi p – n o ‘tish bilan boshqariluvchi MTlar past chastotali diskret elektron asbob sifatida q o ‘llaniladi.