Maydoniy (unipolyar) tranzistorlar
Download 13.93 Kb.
|
Elektronika va sxemalar fanidan mustaqil ishi (Ma\'ruza)
- Bu sahifa navigatsiya:
- MAYDONIY (UNIPOLYAR) TRANZISTORLAR
- Maydoniy tranzistorlar (MTlar). Umumiy ma’lumotlar. p-n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar.
MAYDONIY (UNIPOLYAR) TRANZISTORLARREJA:
Maydoniy tranzistorlar (MTlar). Umumiy ma’lumotlar. p-n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar. Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta’sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo‘tkazgich asbob maydoniy tranzistor (MT) deyiladi. MTlarda tok hosil bo‘lishida faqat bir turli asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda, BTlardagi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to‘planish jarayonlari mavjud emas. MTlarda tok bo‘ylama elektr maydon ta’sirida erkin zaryad tashuvchilarning dreyf harakati tufayli hosil bo‘ladi. Tok hosil qiluvchi o‘tkazgich qatlam kanal deb ataladi va u n – kanalli va r – kanalli bo‘lishi mumkin. Kanal chekkalariga elektrodlar o‘rnatilgan bo‘lib, ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. Elektrodlardan qay biri istok, qaysinisi stok deb olinishining ahamiyati yo‘q. Zaryad tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o‘sha elektrod istok deb, zaryad tashuvchilarni kanaldan o‘ziga qabul qiluvchi elektrod esa stok deb belgilanadi. Uchinchi elektrod – zatvor yordamida kanaldagi tok qiymati ko‘ndalang elektr maydon bilan boshqariladi. Tuzilmasi va kanal sohasi o‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga ko‘ra MTlarning bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
3. p–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o‘tkazuvchanligiga nisbatan teskari o‘tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgichdan foydalaniladi. Natijada, ular orasida p–n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p–n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p–n o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘ndalang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada, kanaldagi tok qiymati o‘zgaradi. p–n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlarning asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p–n o‘tishdan foydalanadigan MTlarni o‘rganamiz. Elektr sxemalarda MTning zatvori kirish elektrodi bo‘lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p–n o‘tish yoki dielektrik bilan izolyatsiyalanadi. Shuning uchun MTlar BTlardan farqli ravishda o‘zgarmas tokda katta kirish qarshiligiga (108÷1010 Om) ega. MDYa – tranzistorlar integral mikrosxemalarning, ayniqsa, O‘KISlarning asosiy elementini tashkil etadi. Ular mikroprotsessorlar, mikrokontrollerlar, axborot sig‘imi katta xotira qurilmalari, elektron soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilmalari va boshqalarda qo‘llaniladi. Katta quvvatli MDYa – tranzistor qayta ulovchi sxemalarda keng qo‘llaniladi. Boshqaruvchi elektrodi metall – yarimo‘tkazgich o‘tishdan tashkil topgan arsenid galliy asosida tayyorlangan tranzistorlar o‘ta tez ishlovchi raqamli IMSlarni va O‘YuChli qurilmalarni yaratish uchun ishlatiladi. Kremniy asosidagi p–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar past chastotali diskret elektron asbob sifatida qo‘llaniladi. p–n o‘tish bilan boshqariluvchi n – kanalli MT tuzilmasining ko‘ndalang kesimi va uning shartli belgilanishi 1-rasmda keltirilgan. Ikkita simmetrik zatvorli MTning ishlash prinsipini ko‘rib chiqamiz (1,v-rasm). Istok – stok orasidagi boshqariluvchi soha ingichka n – turli o‘tkazuvchi kanalni tashkil etadi. Kanal yon tomonlari zatvor hosil qiluvchi ikkita p – yarimo‘tkazgich sohalar bilan chegaralangan. Tranzistorda zatvor uzunligiga teng bo‘lgan masofa – kanal uzunligi L, ikkita p–n o‘tishning fizik chegaralari orasidagi masofa bilan aniqlanuvchi kanalning texnologik qalinligi d0 va unga perpendikulyar yo‘nalishdagi kanal kengligi deb ataluvchi parametrlar bilan ifodalanadi. Tok o‘tkazuvchi kanal kengligi nosimmetrik r–n o‘tishlarning (NA>>ND) kambag‘allashgan sohalari orasidagi masofaga teng: , bu yerda, -teskari siljitilgan r–n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligi (shtrixlangan sohalar). a) B) C) Ishchi rejimda USI>0, shuning uchun kanal orqali elektronlarning istokdan stokka yo‘nalgan dreyf harakati boshlanadi, ya’ni kanal orqali stok toki IS oqadi. USI kuchlanish manbaining ulanishi p–n o‘tish kengligiga ham ta’sir etadi. Tranzistor umumiy istok sxemada ulanganligi uchun stok potensialini USI ga teng deb qabul qilamiz. Endi kanalning ixtiyoriy kesimida p–n o‘tishdagi kuchlanishlar yig‘indisi UZI (x)= UZI + USI (x) ga teng, ya’ni istokdan stokka ortib boradi. Natijada, p–n o‘tish kengligi ortadi, kanal kengligi esa stokka yaqinlashgan sari ponasimon ko‘rinishda kamayib boradi Shunday qilib, kanaldan oqayotgan tokni UZI va USI kuchlanishlarni o‘zgartirib boshqarish mumkin. Bunda UZI kanal ko‘ndalang kesimini, USI esa kanal uzunligi bo‘ylab ko‘ndalang kesim va tokni o‘zgartiradi. Istok tomonda kanal kengligi berilgan UZI qiymati bilan, stok tomonda esa UZI +USI kuchlanishlar yig‘indisi bilan aniqlanadi. USI qiymati ortishi bilan kanalning «ponasimonligi» ko‘payib, kanal qarshiligi ortadi Download 13.93 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling