Maydonli tranzistorlar

R_Н - yuklama qarshi-ligida

kuchlanish tushishining qiymati quyidagiga teng bo’ladi.
^Uчик
^{ Ik RH} Emitter

zanjiriga beriladigan o’zgaruvchi kuchlanish esa
^Uкир
^{ I}э ^Rкир
shaklda yozish

mumkin. Bu erda R_кир - zanjirning kirish qismining qarshiligi. Tranzistorning emitter
o’tishiga beriladigan to’g’ri kuchlanish (emitter-baza kuchlanishi) emitter va kollektor tokiga kuchli taʻsir etadi. emitter-baza kuchlanishi qancha katta bo’lsa,

kollektor toki ham Shuncha katta bo’ladi. Shunday qilib, emitter-baza kuchlanishi kollektor tokini boshqaradi. Tranzistor yordamida elektr signallarini kuchaytirish ana Shu hodisaga asoslangan. 8.2-sxemadan tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti K ni quyidagicha topamiz.

_{К } ^Uчик
^Uкир
_ I_k R_H
^Iэ ^Rкир
_ R_H ^Rкир
(2.3)

Demak tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichning kuchaytirish koeffitsienti kirish va chiqish zanjirlarini qarshilaklari nisbatiga bog’liq ekan. Teskari n-r-n turdagi tranzistorlarning ishlashi ham r-n-r turdagi tranzistorlarnikidek bo’lib, faqat elektr sxemaga ulanganda manba qutblari teskarisiga ulanadi. Shuning uchun bunday tranzistorlar teskari tranzistorlar deb ataladi. Bunday turdagi tranzistorlarida yuz beradigan fizikaviy jarayonlarni ham batafsil ko’raylik. n-r-n turdagi tranzistorlarda asosiy tok tashuvchilar elektronlar hisoblanadi. Tranzistorning emitter-baza orasiga berilgan kuchlanish oshganda, emitter o’tishdagi potentsial to’siq kamayadi. Natijada emitter toki ortadi. Bu tokni hosil qiladigan elektronlar emitterdan bazaga diffuziya tufayli injektsiyalanadi va baza sohasi orqali o’tib, kollektorli o’tish tomon harakatlanadi. Kollekorli o’tishga kuchlanish teskari yo’nalishda qo’yilgan. Shuning uchun bu o’tish chegarasida hajmiy zaryad paydo bo’ladi. Ular orasida elektr maydoni yuzaga keladi. Bu maydon emitterdan kelgan elektronlarni kollektor o’tish sohasiga tortadi.va natijada kollektor toki oshadi. Agar baza qalinligi etarlicha kichik bo’lsa va unda kovaklar kontsentratsiyasi uncha ko’p bo’lmasa, baza orqali o’tadigan elektronlar bazadagi kovaklar bilan rekombinatsiyalashishga ulgura olmaydi. Natijada bu elektronlarlar kollektorli o’tishga etib keladi. Bazada uncha ko’p bo’lmagan elektronlargina rekombinatsiyalashadi. Bazada elektronlarning rekombinatsiyasi natijasida juda kam miqdorda baza toki hosil bo’ladi. Barqarorlashgan rejimda bazadagi kovaklar soni o’zgarmas bo’ladi. Chunki bazada har sekundda qancha kovak yo’qotilsa, bazadan E₁ manbaning musbat qutbi tomon ketadigan elektronlar hisobiga huddi Shuncha miqdorda kovaklar paydo bo’ladi. Agar emitterdan bazaga tomon harakatlanadigan maʻlum sondagi elektronlar bazada kovaklar bilan rekombinatsiyalashib kollektorga etib boraolmasa, u holda Shunday sondagi elektronlar bazadan( ⁱ_б -baza tokini hosil qilib) chiqib ketishi lozim. Shu sababli kollektor toki emitter tokidan bir oz bo’lsada kam bo’ladi. Kirxgofning 1-qoidasiga asosan emitter toki kollektor va baza toklarining yig’indisiga teng bo’ladi.
i_Э  i_k  i_Б
Baza toki foydasiz hisoblanadi. Uning miqdori iloji boricha juda kam bo’lishi

lozim. Haqiqatda baza toki
ⁱ_б « ⁱ_э emitter tokiga nisbatan juda kichik bo’lganligi

uchun emitter tokini kollektor tokiga deyarli teng deb hisoblash mumkin. Kollektor o’tishga hech qanday kuchlanish qo’yilmasa, unda bu o’tishdan o’tadigan tok kattaligini nolga teng deyish mumkin. Bu holda kollektor o’tish sohasining o’zgarmas tokka ko’rsatadigan qarshiligi juda katta bo’ladi. Bu o’tish sohasidan

asosiy tok tashuvchilar uzoqlashadi. Kollektor o’tish orqali bir-biriga qarama-qarshi yo’nalgan juda kam miqdorda asosiy bo’lmagan teskari tok o’tadi (bu tok r-sohadan keladigan elektronlar va n sohadan keladigan kovaklar hisobiga yuzaga keladi). Bu tok haroratga bog’liq bo’ladi. Agar kirish kuchlanishi taʻsirida emitter toki yuzaga kelsa, u holda emitter sohasidan bazaga bu soha uchun asosiy bo’lgan elektronlar injektsiyalanadi. emitter tokining ortishi bazada emitterdan injektsiyalangan , baza sohasi uchun asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar kontsentratsiyasi ortadi. Bu tok tashuvchilar soni qancha ko’p bo’lsa, kollektor toki shuncha ko’p bo’ladi.
Modomiki, tranzistorda emitter toki, kollektor toki va baza toklarining yig’indisiga teng ekan, unda emitter tokining orttirmasi ham kollektor va baza toklari orttirmalarining yig’indisiga teng bo’ladi.

i_Э
 i_k

• 
  i_Б
  

Tranzistorning muhim xossalaridan biri uning toklari orasidagi taqriban chiziqli bog’lanish hisoblanadi, yaʻni tranzistorning Shu uchta toki bir-biriga nisbatan proportsional bo’ladi.

Tranzistorning emitterli va kollektorli o’tishlariga beriladigan kuchlanishga bog’liq holda u uch xil rejimda ishlashi mumkin: aktiv, to’yinish va kesish rejimlari. Tranzistor aktiv rejimda ishlaganda uning emitterli o’tishiga kuchlanish to’g’ri yo’nalishda, kollektor o’tishga teskari yo’nalishda kuchlanish beriladi. Tranzistorning kesish yoki yopilish rejimida ikkala o’tishga ham kuchlanish teskari yo’nalishda beriladi. Tranzistor to’yinish rejimida ishlaganda, uning ikkala o’tishiga ham kuchlanish to’g’ri yo’nalishda beriladi. Tranzistorning aktiv rejimi asosiy hisoblanadi. Bu rejim ko’pgina kuchaytirgich va generatorlarda qo’llaniladi. Tranzistorning yopilish va to’yinish rejimlari uning impulsli ish jarayonida qo’llaniladi. Masalan, tranzistorlarning yopilish va to’yinish ish rejimidan avtomatika va hisoblash texnikasi qurilmalarida foydalaniladi.

8.3-rasm. Umumbaza sxemasida ulangan bipolyar tranzistorning ekvivalent

sxemasi.
Tranzistorlarda yuz beradigan jarayonlarni o’rganishda uning ekvivalent sxemasidan foydalaniladi. Umumbaza sxemasida ulangan bipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasini asbobning strukturasi va uning ishlash printsipini hisobga olgan holda qurish mumkin. Tok manbai va EYUK manbaiga ega bo’lgan bunday sxema 8.3-rasmda keltirilgan. Rasmda r_E - element emitter o’tishning to’g’ri

yo’nalishdagi differentsial qarshiligini ifodalaydi. r_k – kollektor teskari yo’nalishdagi differentsial qarshiligidir. r_b-baza sohasining qarshiligi. Odatda tranzistorlarda bu qarshiliklarning taqribiy qiymatlari quyidagicha bo’ladi: r_E=50 Om, r_k=5.10⁵ Om, r_b=50-250 Om. ekvivalent sxemadagi tok manbai yoki E.YU.K manbaasi bipolyar tranzistorning kuchaytirish xossasini aks ettiradi. Haqiqatda agar

emitter toki ⁱ_э
o’zgaruvchan tashkil etuvchiga ega bo’lsa, unda kollektor tokining

o’zgaruvchan tashkil etuvchisi
i_Э
ga teng bo’ladi. Uni ekvivalent sxemada

kollektor zanjiriga ulangan r_k ichki qarshilikka ega bo’lgan