Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad


IMS tuzilish sxemasi. MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash


Download 10.16 Kb.
bet4/5
Sana24.12.2022
Hajmi10.16 Kb.
#1054813
1   2   3   4   5
Bog'liq
Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi Sa’dul-fayllar.org

IMS tuzilish sxemasi.


MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash

MDYA – tranzistorlar asosida IMSlarni tayyorlash texnologiyasi

ikkita omil bilan bog’liq;


  • Kanallari bir xil o’tkazuvchanlikka ega integral MDYA – tranzistorlar uchun tuzilmalarni izolatsiyalash operatsiyasi talab etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokka nisbatan teskari o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi.Shuning uchun istok – asos va stok – asos p-n o’tishlarning biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida teskari ulanadi va izolatsiyani ta’minlaydi.

  • Barcha tayyorlash jarayoni faqat MDYA – tuzilmani hosil qilishga olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida , balki rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

Kristallda yonma-yon joylashgan va turli o’tkazuvchanliklikannallarga ega komplementar MDYA – tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho’ntakchaga joylashtirish kerak bo’ladi. Masalan, agar asos sifatida p- kremniy ishlatilsa, p-kanalli tranzistor uchun avval n – turli cho’ntakcha tayyorlanishi kerak.

MDYA – tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida yaratiladi.Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya va ochilgan darchalarga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish orqali bajariladi.

MDYA – tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo’lganligi uchun unga alohida talablar qo’yiladi. Xarakteristika tikligini oshirish uchun:

ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak.





Download 10.16 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling